共价键理论新探——电子空位对假说简介

本文以全新的观点提出了电子空位对假说。该假说能揭示分子结构的共同规律,实现共价分子结构式的理论推断,并能给共价下科学、严格的定义等,具有广泛实际的应用。

金属—半导体界面附近的空位电子态

本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位-空位间距的改变发生振荡。

镍基高温合金电子空位数计算的新方法与组织稳定性预测

介绍了一种计算高温合金电子空位数的新方法,并用来预测了5种典型镍基高温合金的组织稳定性及拓扑密排相(TCP相)的析出趋势。结果表明:用电子空位数计算新方法预测合金基体中TCP相的析出趋势比较准确,但不适用于预测合金渗层扩散区TCP相的析出趋势。

硅中层错带中空位的电子态

计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ－ｐ－，ｄ－型十个原子轨道．用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连续态中的电子态，局域态密度是用连续连分数来表示的．硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级．从价态顶算起，它们的能量分别为－０．３，０．３，１．７ｅＶ．价带顶之上０．３ｅＶ的带隙态同纯层错中发现的电子态相似，但局域态密度要高一些．价带顶之上１．７ｅＶ的在导带中的电子态是一个强共振态．价带顶之下０．

化学竞赛中的键级问题

在各省的竞赛试题和全国的竞赛试题中，以“键级”为主题的考题不多。不过也正因为如此，化学教师与竞赛选手对该考点通常认识不够，难以应付。本文从价键理论、分子轨道理论、电子空位对假说、等电子体原理4个角度，结合理论和实例初探键级计算的相关问题。

关于分子键级计算方法的讨论

以双原子分子为例，用分子轨道理论和作者提出的电子空位对假说两种理论方法分别计算这些分子中共价键的键级，并对计算过程和结果进行了讨论．结果表明，两种理论方法所得结论基本一致，但电子空位对假说在处理分子键级问题上显得更加简单明了．

共价分子结构式的简易推断

本文提出了电子空位对假说,以全新的观点揭示了分子结构的规律。通过共价键的计算、依照一定的成键规则与顺序,可以推断出许多共价分子的结构式。

含氮小分子键级的计算与结构式的推断

提出了电子空位对假说，以新颖的观点指出了分子结构的规律．对含氮共价小分子进行了键级的简便计算，和结构式的简易推断．

共价分子结构式的进一步推断

本文是作者“共价分子结构式的简易推断”一文的继续与深化,文中介绍了用电子空位对假说理论推断一些更加复杂的分子结构式的方法和技巧,并获得满意的结果。

谈分子键级的计算方法

介绍了计算分子键级的分子轨道法、电子空位对假说、休克尔分子轨道法,并重点就分子轨道理论和电子空位对假说进行比较分析,从而使得处理分子键级简单、明了、全面,为在处理具体问题如何择取提供参考。

一种新型镍基合金相的析出规律

采用物相分析和透射电镜(TEM)方法研究了GH4199合金中不同温度长期时效处理条件下相的析出规律·结果表明,合金经长期时效处理后γ′相在700～800℃时析出比较充分,800℃以上开始回溶,γ′相在高温长期时效过程中的长大规律符合Ostwald理论,同时合金中有TCP相的析出·GH4199合金电子空位数为2 31到2 35,比镍基合金中μ相析出的临界电子空位数2 30略大,故当合金在高温下具有足够的热暴露时μ相会析出;合金的电子空位数虽不高于σ相析出的临界值,但由于γ′相的大量析出,造成合金基体中的Cr,Mo等形成σ相元素局部相对含量剧增,有可能导致σ相析出·

新型低铼第三代镍基单晶高温合金的设计

对通过d电子理论以及电子空位数理论在现有第三代镍基单晶合金基础上进行成分设计,控制合金中Cr、Mo、Al、Re、Hf元素含量不变,通过增加合金中W含量以及添加元素Nb、Ti强化γ′相,微调合金中Ta/(W+Mo)比值和Al/Ti比值,并对合金中TCP相的析出以及合金相稳定性进行预测,来提高合金的高温性能,得到一系列的合金成分范围。利用热模拟软件JMat Pro,并结合相图分析,获得一系列低Re合金成分,通过对已有镍基单晶合金在平衡状态下热处理窗口、糊状区间、TCP相含量、熔点、密度等热力学参数进行模拟,并依据这些参数制定合金设计判据,得到新型低铼第三代镍基单晶合金的组成。

新型CdS/TiO_2纳米复合材料的制备及其可见光催化性能研究

采用浸渍法和水热法相结合制备了新型的CdS/TiO_2纳米复合材料,并采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、UV-Vis吸收光谱(UV- VIS)、电子自旋共振谱(ESR)等对样品进行了表征,XRD、TEM表明所制备的新型CdS/TiO_2粒径小、分散均匀,TiO_2以锐钛矿型存在,CdS以高分散的立方相和六方相存在,对比直接法制备的CdS/TiO_2,新型的CdS/TiO_2对活性艳红X-3B具有明显提高的可见光催化活性;大量的束缚单电子氧空位及电子之间强相互作用是新型CdS/TiO_2可见光催化活性提高的主要原因.

CdS/纳米管钛酸的制备及其可见光催化性能研究

采用浸渍法制备了负载CdS的纳米管钛酸(CdS/NTA)可见光催化剂,并采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、电子自旋共振谱(ESR)、紫外可见漫反射光谱(DRS)对催化剂进行了表征。TEM和XRD结果表明,复合催化剂中立方相和六方相的CdS纳米颗粒均匀分布在NTA表面;与单一的NTA和CdS相比,CdS/NTA对活性艳红X-3B具有更高的可见光催化活性。CdS和NTA复合后,其明显的可见光吸收特性及电子之间的相互作用是复合催化剂具有显著可见光催化活性的主要原因。

C1023高温合金电子空位数与持久寿命的关系研究

本文用经验公式计算了C1023合金中各元素对其电子空位数的影响，Cr、Mo、Al、Ti元素增加，会增加合金的电子空位数。C含量增加，会降低合金的电子空位数，增加合金的组织稳定性。实验结果显示，合金持久性能与其电子空位数有明显依赖关系。当电子空位数小于2．56时，持久寿命下降速率较小。当电了空位大于2．56时，随电子空位数的增加，持久寿命下降速率明显加快。因此，合金元素的合理搭配是控制电子空位数、持久寿命等综合性能的关键。

镍基高温合金IN-738组织与性能的关系

介绍了IN-738合金及其改型IN-738LC和IN-738FC合金的成分、性能和用途;给出了IN-738X合金的各种制造工艺参数;论述了IN-738X合金中电子空位数(Nv)对组织和性能的影响,得知IN-738合金的临界电子空位数为2.38;分析了IN-738X合金热处理过程中的组织结构,特别是γ'相和碳化物的变化;介绍了无氧化物弥散强化和有氧化物弥散强化的粉末IN-738X合金的若干重要研究成果;简要介绍了IN-738X合金的耐热腐蚀性和硫侵蚀的研究结果.

Fe-Ni-Cr-W-Mo系750℃与900℃部分相区图

用X-线与电子衍射方法测定Fe-Ni-Cr-W-Mo系75O°C与900℃部分相区图,得出在750℃与900℃时,当含钼量分别大于1.5％与1.0%时就可以产生μ相。在实验合金成分范围内,900℃时,当Mo含量不定,含W量>7%时就可以产生μ+Laves相,而750℃时不管W、Mo含量多少都不会产生Laves相。另外,证明传统的控制μ相生成的电子空们数Nv=2.30,不适合本系统合金。

“空穴”的分析

论述了空穴及空穴运动的实质 ,使学习者充分理解这些概念 ,以便澄清模糊认识 。

影响元素电子空位数的因素研究

对于预测高温合金中出现ＴＣＰ相的可能性及设计组织，性能稳定的合金，相计算是有效方法之一。而元素的电子空位数则是相计算的基础，标志元素电子特性的电子空位数应与合金成分，状态有关，而不应该在任何条件下保持恒定值。本文在考虑了元素的相互作用，温度影响后，计算出了元素Ｃｒ，Ｍｏ的表观电子空位数，并探讨了温度对电子空位数扔影响，解决了７１３Ｃ合金计算结果与实验结果不符的矛盾。