纯金属中电子能损效应的实验研究

简要评述了快重离子辐照在纯金属中引起的电子能损效应的实验研究结果 ,特别是强电子能损在金属中引起的辐照缺陷的部分退火、新缺陷的产生 .离子潜径迹的形成和辐照相变等 .

快重离子在凝聚态物质中引起的效应——电子能损效应

简述了快重离子在凝聚态物质中引起的效应——电子能损效应，主要包括缺陷的产生和潜径迹的形成、各向异性的塑性形变、由弹性碰撞产生的缺陷的部分退火、相变（非晶化），以及尝试性的理论解释．

电子能损效应对材料辐照缺陷影响的理论模拟研究进展

高能粒子与靶材料相互作用主要通过核能损和电子能损两种方式损失能量。电子阻止效应和电子-声子耦合效应是体现电子能损的两种不同机制。准确模拟高能粒子的辐照损伤过程,亟须解决电子能损效应对粒子辐照损伤的影响这一关键科学问题。本文综述了几种关键结构材料在考虑电子能损效应下辐照损伤行为的最新研究进展,阐述了电子阻止效应、电子-声子耦合效应和电子热导率等对辐照缺陷的影响规律,总结了目前电子能损效应对靶材料辐照损伤的影响规律,归纳了高能粒子辐照靶材料研究中存在的问题,并对后续的研究方向进行了展望。

快重离子电子能损引起的缺陷产生及其后续效应

快重离子与凝聚态物质相互作用是核物理研究的重要领域之一,近年不断有新的现象发现。文章综述了快重离子电子能损效应研究的历史和概况,重点介绍了快重离子辐照引起的缺陷产生和退火、潜径迹的形成、塑性形变、相变等现象以及相关理论模型,对该领域未来发展趋势给出展望。

快重离子辐照聚酰亚胺潜径迹的电子能损效应

快重离子辐照聚合物材料时,由于密集电离激发在其路径上产生几纳米直径的潜径迹,径迹形貌受离子种类、离子能量等多种因素的影响.为了研究电子能损对径迹形成所起的作用,利用1.158GeV的Fe56离子和1.755GeVXe136离子在室温真空环境下辐照叠层聚酰亚胺(PI)薄膜,结合傅里叶转换红外光谱(FTIR)分析技术对辐照引起的化学变化进行了测量.聚酰亚胺官能团的降解及炔基的生成是离子辐照聚合物的主要特征,在注量1×1011到6×1012/cm2范围及较宽的电子能损(dE/dX)e范围(Fe56离子:2.2到5.2keV/nm,Xe136离子:8.6到11.3keV/nm)对官能团的断键率及炔基生成率进行了研究.红外结果显示在实验涉及的能损范围都有炔基生成,应用径迹饱和模型对实验结果进行拟合,不同能损下的平均损伤径迹半径及炔基生成径迹半径被得到,通过热峰模型对实验结果拟合,给出了离子在聚酰亚胺中产生潜径迹的能损阈值,实验给出的径迹形貌的电子能损效应曲线与热峰模型预言走势基本一致.

快离子在C_(60)薄膜中电子能损效应

用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的情况下 ,发现电子能损有明显的退火效应 ,致使C60 晶态→非晶态转变过程中 ,经过一个石墨化的中间过程 .而在S9+离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,不存在石墨化的中间过程 .

电子能损的潜径迹形成机制及理论模型的新进展

潜径迹是荷能离子与固体相互作用的一个重要效应 ,可以借助化学蚀刻、电子显微镜、卢瑟福散射和其他方法所显现。通过研究依赖于离子能量和各种靶参数的径迹尺寸的变化可以获得关于微观机制的信息。本文概括地介绍了在电子能损体制下径迹形成的基本现象、观测技术以及所获得的重要的实验结果 。

纯金属Bi中高能重离子辐照效应

利用高能重离子（Ｋｒ， Ｘｅ， Ｓｎ和Ｐb ）辐照处于 １６或 １００ Ｋ的低熔点纯金属 Ｂｉ，通过测量分析辐照引起的样品电阻率增量及其变化速率随辐照剂量的变化，研究了入射离子在Ｂｉ中引起的辐照损伤效应如辐照损伤效率及复杂缺陷的产生等．结果表明，强的电子能损可在纯金属Ｂｉ中引起附加缺陷的产生，从而使得辐照损伤效率＞１．电子能损值大时，入射离子在Ｂi中引起的辐照效应主要是电子能损效应．辐照温度和入射离子速度对辐照效应的强弱有一定的影响．