Y_2O_3:Eu^(3+)纳米晶与体材料在高分辨光谱上的显著区别

报道了Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在光谱上的显著区别。除了相同于Y2O3:Eu3+体材料在580.6nm处的激发峰外,Y2O3:Eu3+纳米晶在579.9nm处出现了一新的较宽激发线。并且,该激发线的寿命要稍短于580.6nm的激发线。579.9nm激发线被归因于靠近纳米晶表面的Eu3+的发光。纳米晶中存在大量的表面缺陷,表面的晶体场因而发生退化,从而使得4f组态的电子能级发生移动。