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薄膜电致发光器件SiO_2加速层的电子输运性质
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作者 马义 邝向军 +4 位作者 刘勇 王平 尹民 楼立人 夏上达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期129-134,共6页
考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响,通过MonteCarlo方法模拟电子在薄膜电致发光器件(TFEL)的SiO2加速层的散射过程,从理论上描述了SiO2层的加速作用与电流倍增效应,获得了电子平均能量与场强的关系曲... 考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响,通过MonteCarlo方法模拟电子在薄膜电致发光器件(TFEL)的SiO2加速层的散射过程,从理论上描述了SiO2层的加速作用与电流倍增效应,获得了电子平均能量与场强的关系曲线、电离率、电流倍增因子。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光器件 电离率 电子辐运 二氧化硅
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