单根一维TiO_2纳米线的电子输运性能

采用电化学诱导溶胶-凝胶法,在多孔氧化铝模板(AAO)的纳米孔道内制备了直径分别为60和20nm的锐钛矿型TiO2纳米线阵列.利用原子力显微镜(AFM)技术,在半接触模式下得到了TiO2纳米线的形貌像,在接触模式下测量了单根TiO2纳米线的I-V曲线.TiO2纳米线的电子输运性能表现为半导体的性质.TiO2纳米线的导通电压值明显小于TiO2块体,并且随着TiO2纳米线直径的减小,导通电压值增大.

双笼氟化富勒烯分子C_(20)F_(18)(CO)_2C_(20)F_(18)电子输运性能的第一性原理研究

以双笼氟化富勒烯C_(20)F_(18)(CO)_2C_(20)F_(18)为中心分子,与Ag(100)纳米线电极连接构筑分子电子器件,通过第一性原理和非平衡格林函数相结合的方法,对器件的电子输运特性进行了研究.结果显示,在外加偏压的作用下,中心分子的前线轨道逐渐定域在分子的左侧,电子透射通道被阻塞,所对应的共振隧穿峰被压制,器件的电流-电压特性曲线在0.3~0.8V区间内表现出明显的负微分电阻(NDR)现象.