微通道板非晶态Al_2O_3电子透射膜

文中介绍了ＭＣＰ非晶态Ａｌ２Ｏ３电子透射膜在成像器件中的作用，阐述了膜层的选择、形成条件与方法，给出了膜层形成及其与辉光气体放电的关系，测量了膜层及带膜ＭＣＰ的某些特性，并进行了初步分析和讨论．

微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究

文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题.

无碳污染微通道板电子透射膜

提出利用静电贴膜技术制备无碳污染MCP电子透射膜工艺方案 ,探讨了贴膜与辉光气体放电的关系 ,制备了 4nm厚MCP电子透射膜 .实验测得该电子透射膜的成分只有铝和氧元素 ,MCP带膜前、后的体电阻和暗电流没有变化 ,MCP带膜后电子增益略有增加 .

非完整超晶格中电子透射问题的计算机模拟

采用转移矩阵方法 ,模拟研究了垒高无序和阱宽无序非完整超晶格的电子态问题。计算了垒高无序有限超晶格的透射谱和其局域态波函数以及阱宽无序有限超晶格的透射谱和本征值 ,直观地给出了垒高无序和阱宽无序非完整有限超晶格其电子态行为的物理图像。模拟结果表明 :垒高无序和阱宽无序这两种常见非完整一维有限超晶格的子带带隙间均存在强烈的电子运动定域化 ,且电子波的布喇格散射对周期性势场更敏感 ;这两种非完整性引起的局域 ,通过计算电子局域态波函数和有限系统的本征值得到了证实 ;对本文讨论的这种类型和周期的超晶格 ,如果控制阱宽在 9.1～ 1 0 .9nm间随机变化 ,即阱宽的值最大相差 1 8nm时 ,计算机模拟的结果是 ,阱宽的这种非周期性开始使子带的带隙消失。

微通道板电子透射膜运转的有效性

介绍微通道板电子透射膜在三代微光像增强器中的作用，推导电子透射膜死电压的理论表达式，测量电子透射膜的电子透过特性，并进行初步分析和讨论。

超晶格中电子透射共振的机理

本文阐明了在超晶格中电子透射共振的机理，并将它与晶格中电子共振散射作了详细的比较，其理论计算的结果对超晶格某些原子层和分子层以及极薄的半导体层结构的研究都有重要意义，并为设计一种新型的放大率很高的量子放大器——透射共振量子放大器提供了理论计算的依据．

磁场对单方势垒的电子透射的影响

方势垒的量子隧穿是量子力学中的一种特有现象,在单方势垒中加磁场后,借助势垒的哈密顿和量子力学应用薛定谔方程寻求电子隧穿时的透射系数方法,可以研究磁场对单方势垒隧穿时电子透射的影响。通过比较外加磁场和不外加磁场时电子在隧穿单方势垒时的透射率,从而得出磁场对电子隧穿单方势垒时透射率的影响。

微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了 4nm厚Al2 O3非晶态电子透射膜 ,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染 .探讨了贴膜与气体辉光放电的关系 ,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性 .实验表明 ,4nm厚Al2 O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子 。

微通道板电子透射膜工艺的AES研究

用冷基底溅射方法和静电贴膜方法分别在微通道板表面制备了电子透射膜 ,采用俄歇电子能谱 (AES)研究了两种工艺制备的微通道板电子透射膜的薄膜成分 ,微通道板电子透射膜工艺失败微通道板通道表面的成分和通道内壁的成分随深度的变化 .结果表明 ,冷基底溅射方法制膜工艺的失败对MCP造成了严重的碳污染 ,污染的MCP不可回收 ;静电贴膜方法制膜工艺的失败对MCP通道表面没有明显影响 ,MCP可回收利用 .

电子透射膜的生成及其对微通道板性能的影响

研究采用有机衬底掩膜技术和冷基底直流溅射在多孔微通道板输入面制备非晶态Al2O3电子透射膜的可行性,讨论在微通道板输入面形成连续电子透射膜与气体辉光放电的关系,测量带膜微通道板的电特性。结果表明,微通道板带膜后电子增益下降、体电阻增加、暗电流降低。

MCP电子透射膜的制备及半视场特性

介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的功能,分析了冷基底溅射制膜技术和有机膜涂覆及焙烧的方法制备MCP电子透射膜的工艺缺陷,提出了一种新的MCP输入面电子透射膜的制作方法。在一块MCP输入面的半圆上制作了4nm厚电子透射膜,研究了相同条件下MCP带膜半圆和不带膜半圆的光学反射表面显微形貌、输出电流密度特性和半视场亮度特性。

无碳污染微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明,4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子。

慕课背景下材料科学与工程专业大型仪器实验教学模式探究——以透射电子显微镜为例

大型仪器在材料科学与工程专业中具有重要的地位,正确合理地使用大型仪器可以促进科学研究的快速发展。由于大型仪器比较昂贵,传统线下实验课教学以课堂讲解和演示为主,导致学生的学习效果不理想。因此,为了更好地开展实验课教学,近年来各大高校逐渐将慕课教学引入实验课教学中。本文以透射电子显微镜为例,提出开展大型仪器线上线下混合式教学模式,学生先利用慕课资源进行理论学习和模拟操作,随后再开展线下实验操作,以培养出同时具有扎实理论知识和良好操作技能的学生。

JEM-1400透射电子显微镜在纳米材料测试中的应用

以JEM-1400透射电子显微镜为例,介绍了透射电镜的基本结构、工作方式、电子光学成像原理及分辨率、放大倍率等基本概念,探讨了影响纳米材料样品高质量成像的因素及对策。从灯丝高度及束流强度调试方面讨论了提高材料样品分辨率的可行性:基于灯丝像,通过调节灯丝饱和度和偏压,使灯丝发射量达到15μA;在保证灯丝寿命的前提下,分辨率从过去的200 nm提高到10 nm以下。

蘼芜水热合成碳量子点的透射电子显微镜结构表征

运用透射电子显微镜技术(transmission electron microscopy,TEM)观察分析了以植物蘼芜为碳源,通过水热法合成的CQDs(carbon quantum dots,CQDs)的结构.针对TEM明场像中CQDs衬度弱而难以观察的问题,利用高角环形暗场扫描透射技术(high angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy,HAADF-STEM)在铜网中快速定位CQDs.相应区域的明场像显示CQDs形貌为不规则多边形,尺寸约3 nm.通过高分辨透射电子显微镜技术(HRTEM)及相应的快速傅里叶变换(fast Fourier transform,FFT),观察到具有六次对称性的晶格条纹(0.21 nm)和衍射斑点,以及石墨π键的层间距(0.34 nm),讨论了CQDs特征晶面指数的指标化方法.晶格结构分析结果表明,CQDs为晶态六方相类石墨烯结构.

透射电子显微镜在材料学专业教学中应用研究

材料学非常注重理论与实践教学,理论教学中提到材料结构演化会与其物理性能间存在紧密关联;通过分析仪器的实践教学辅助加深学生对材料的理解很重要。透射电子显微镜由于拥有高时空分辨率和能量分辨率,可实时观察材料的微观尺寸结构变化,是材料学专业实践教学中重要的大型分析仪器。本文以透射电子显微镜在锂离子电池材料研究中应用为基础,探讨了透射电子显微镜在实践教学中的作用,为学生后期从事的科研事业打下一定的基础。

透射电子显微镜样品的制备方法及技术综述

透射电子显微分析技术已成为科学研究过程中十分重要的表征手段,可以对材料内部的微观形貌、微区结构以及微区成分进行精细分析,是探索物质本质的强有力工具。那么,透射电子显微镜样品的制备方法及技术就显得尤为重要。结合近几年来的相关报道,阐述了各种透射电子显微镜样品制备方法及技术的基本原理及具体操作步骤,同时对不同类型的透射电子显微镜样品适用的制备方法进行了总结,以期为科研人员进行透射电子显微镜样品制备提供参考。

透射电子显微镜空间分辨率综述

透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)具有超高的空间分辨率,是化学、材料科学、物理学、生物科学等领域最重要的研究手段之一.影响TEM空间分辨率的因素众多,不仅包括电镜自身结构和成像原理等,还有样品性质等原因.为系统且全面地了解TEM分辨率的涵义、原理与应用,本文通过回顾TEM空间分辨率的发展历史,从理论上厘清了TEM空间分辨率的概念、物理涵义、影响因素和适用范围;从电镜装置角度,分别概述了电子枪、磁透镜、图像探测器和电镜内外部环境对空间分辨率的影响规律,以及单色器、像差校正器和新型图像探测器的发展现状;从实际应用角度,重点介绍了样品过厚、电子束损伤、积碳和原子振动等降低空间分辨率的作用机理及解决途径.本文可为非电子显微学研究者们正确使用TEM提供参考.

透射电子显微镜在关键矿产成因机制研究中的应用进展

关键矿产的元素赋存形式对矿产超常富集机制和资源综合利用有着至关重要的作用。然而,关键矿产的元素赋存形式大多以细小矿物、吸附或类质同象的方式存在,不易于直接观察分析,在一定程度上增加了对其进一步认识和综合利用的难度,而透射电子显微镜(Transmission Electron Microscopy,TEM)可以在微纳米尺度上从结构和成分方面提供有效的解决途径。文章扼要地介绍了TEM的基本原理、工作模式、样品制备的方法及工作流程,并根据国内关键矿产的类型与元素赋存形式综述了TEM在关键性稀有金属、稀土金属、稀散金属、稀贵金属、能源金属以及黑色和有色金属等6类矿产中成因机制研究的应用进展情况,指出了限制TEM广泛应用的瓶颈问题,并提出了几点浅显的意见和建议。

扫描透射电子显微镜原位揭示ZnO纳米片缺陷的动态演变机制

缺陷对金属氧化物的物理化学性质具有至关重要的影响,掌握缺陷的调控方法,有助于设计结构稳定、性能优异的金属氧化物材料。然而外场环境下缺陷动态结构演变原位信息的缺乏使得精确调控缺陷成为一项巨大的挑战。本文利用球差校正扫描透射电子显微镜、环境透射电子显微镜和电子层析三维重构方法原位研究了ZnO纳米片体缺陷的动态结构演变规律,探索了高温环境及氧气环境下孔洞缺陷的烧结长大与重构行为。研究发现,在外场环境下晶体缺陷以类似颗粒烧结的奥斯瓦尔德熟化和迁移长大机制烧结长大;缺陷的烧结和重构行为由降低表面能的驱动机制主导以及不同环境下氧空位浓度不同导致了不同的缺陷演变行为。