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直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术
被引量:
1
1
作者
胡运明
陈道伦
+1 位作者
苏会和
王中光
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期240-244,共5页
介绍了扫描电镜(SEM)电子通道衬度(ECC)技术.该技术可以很好地观察材料中位借结构,用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构,与常规的TEM方法观察结果基本一致.
关键词
扫描电镜
电子通道衬度技术
铜单晶体
位错结构
下载PDF
职称材料
扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态
2
作者
张哲峰
王中光
苏会和
《应用基础与工程科学学报》
EI
CSCD
1998年第3期57-61,共5页
通过对垂直晶界[5913]⊥[579]铜双晶体进行循环变形,借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态,结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同,两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同...
通过对垂直晶界[5913]⊥[579]铜双晶体进行循环变形,借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态,结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同,两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同,驻留滑移带只能在组元晶体G1中形成,驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界.讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用.
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关键词
铜双晶体
扫描电镜
电子通道衬度技术
位错组态
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职称材料
题名
直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术
被引量:
1
1
作者
胡运明
陈道伦
苏会和
王中光
机构
中国科学院金属研究所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期240-244,共5页
基金
国家自然科学基金!19392300-4
文摘
介绍了扫描电镜(SEM)电子通道衬度(ECC)技术.该技术可以很好地观察材料中位借结构,用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构,与常规的TEM方法观察结果基本一致.
关键词
扫描电镜
电子通道衬度技术
铜单晶体
位错结构
Keywords
scanning electron microscope electron channeling contrast technique copper single crystal dislocation structure
分类号
O772 [理学—晶体学]
TG115.215 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态
2
作者
张哲峰
王中光
苏会和
机构
中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室
出处
《应用基础与工程科学学报》
EI
CSCD
1998年第3期57-61,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
通过对垂直晶界[5913]⊥[579]铜双晶体进行循环变形,借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态,结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同,两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同,驻留滑移带只能在组元晶体G1中形成,驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界.讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用.
关键词
铜双晶体
扫描电镜
电子通道衬度技术
位错组态
Keywords
copper bicrystal, SEM ECC technique, dislocation patterns
分类号
O614.121 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术
胡运明
陈道伦
苏会和
王中光
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
下载PDF
职称材料
2
扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态
张哲峰
王中光
苏会和
《应用基础与工程科学学报》
EI
CSCD
1998
0
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职称材料
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