基于n型柔性半导体的有机晶体管及其电子-离子双响应特性

为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气性能进行表征。结果表明,利用高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备的n型有机电化学晶体管表现出极高的响应速度(0.034 s)、高载流子迁移率(4.72×10^(-3) cm^(2)/(V·s)),以及在水系电解液中优异的稳定性(稳定运行超过120次脉冲循环)。

基于电子鼻和气相-离子迁移谱探究辣椒素对植物乳杆菌LP-CL-01产香特性的影响

本研究以传统发酵糍粑辣椒中分离出的植物乳杆菌LP-CL-01为研究对象,采用气相色谱-离子迁移谱(GC-IMS)结合电子鼻(E-Nose)探究辣椒素胁迫对植物乳杆菌发酵特性的影响。结果表明:E-Nose可以准确区分出辣椒素胁迫及不同发酵时间植物乳杆菌的风味差异。利用GC-IMS技术共检测出48种挥发性物质,在辣椒素胁迫下随着发酵时间的延长,植物乳杆菌LP-CL-01产生乙酸乙酯、2-庚酮和2-甲基丁基乙酸酯等的相对含量显著增加(P<0.05);N-亚硝基吗啉和左旋香芹酮等的相对含量显著降低(P<0.05)。综上所述,辣椒素胁迫会影响植物乳杆菌产香特性。该研究为植物乳杆菌在辣椒素胁迫条件下代谢产物变化研究提供借鉴,同时为改善传统发酵辣椒制品的风味质量提供参考。

等离子辅助电子束蒸发La_2O_3薄膜的制备

采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向。对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右。

基于表面等离子激元的多通道滤波器设计

设计了一种由一个槽型腔和两个波导耦合构建的金属-介质-金属(MDM)滤波器,并利用时域有限差分法对该结构进行了仿真研究,分析了主要结构参数对滤波器传输特性的影响。研究发现:纵向位移L_(d)对传输特性有重要影响,会导致新的谐振峰出现;在一定范围内,槽腔宽度W_(c)的增加使得透射峰增加并且更均匀地分布在600~1500 nm范围内。通过参数优化最终设计了分布于550、730、920、1330 nm波段窗口附近的多通道滤波器,该设计透射峰窄、品质因子良好,且结构简单、易于集成、制作方便,能够很好地运用在波分复用系统及光通信中。

5种小米挥发性物质和质构特性分析

以5种小米(红谷小米、绿小米、白小米、金苗小米、黑小米)为原料,采用气相-离子迁移色谱(GC-IMS)和电子鼻(E-nose)对5种小米挥发性物质进行风味分析,同时运用质构仪研究其质构特性。结果表明,5种小米含有48种挥发性物质组分,乙酸乙酯(M)、苯乙烯是5种小米共有的含量相似的挥发性物质。绿小米的挥发性物质种类最多,所具有的香味最浓;而红谷小米所含挥发性物质含量及种类相对较少,白小米和黑小米挥发性物质种类相似,金苗小米挥发性物质种类仅次于白小米和黑小米。质构特性中,5种小米间的硬度与黏性差异极显著,回复性、弹性、胶着度和咀嚼度中5种小米均不存在显著差异。

锰位掺杂La0.7Ba0.3Mn0.95X0.05O3(X=Mn,Cr,Fe,Co)薄膜光诱导特性研究

用固相反应法制备La0.7Ba0.3Mn0.95X0.05O3(X=Mn,Cr,Fe,Co)系列块材,并利用磁控溅射法在LaAlO3单晶衬底上制备薄膜,研究过渡金属元素(Cr,Fe和Co)锰位掺杂对La0.7Ba0.3MnO3(LBMO)薄膜光诱导特性的影响。研究表明,Cr,Fe和Co掺杂均导致薄膜的金属-绝缘转变温度(TP)降低,电阻率和光致电阻率相对变化的最大值(LRmax)增大。其中Fe离子对体系影响最大,Co离子次之,Cr离子影响最小。激光诱导在不同温区对薄膜电阻率的影响不同,在低温(T<TP)区表现为光致电阻率增大,在高温区(T>TP)表现为光致电阻率减小。从过渡金属Cr,Fe和Co离子自身电子结构和晶格效应的角度出发,讨论了样品输运行为和光诱导特性的内在机理。

通用工艺与设备

0524818水溶胶-凝胶工艺生长 BaFe12O19 薄膜=BaFe12O19thin film grown by an aqueous sol-gel process[刊,英]/J.V.A.santos,M.A.Macedo//Microelectronics Jour-nal.—2003,34(5).—565-568(E)