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脉冲准分子激光沉积高a轴(200)取向CuO—SuO_2薄膜
1
作者
方国家
张增常
+2 位作者
刘传清
李炳安
雷式祖
《湖北文理学院学报》
1996年第2期35-41,10,共8页
采用脉冲准分子激光沉积技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上沉积了具有高a-(200)取向的CuO掺杂的SnO_2薄膜.采用X射线衍射的(XRD)及透射电镜(TEM)扫描附件对不同温度下退火处理的样品进行了结构分析;同时对薄膜的温阻特性及气敏性能进...
采用脉冲准分子激光沉积技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上沉积了具有高a-(200)取向的CuO掺杂的SnO_2薄膜.采用X射线衍射的(XRD)及透射电镜(TEM)扫描附件对不同温度下退火处理的样品进行了结构分析;同时对薄膜的温阻特性及气敏性能进行了研究。
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关键词
高a轴(200)取向
CuO-SnO2薄膜
脉冲激光沉积(PLD)
结构分析
电学及气敏性能
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职称材料
题名
脉冲准分子激光沉积高a轴(200)取向CuO—SuO_2薄膜
1
作者
方国家
张增常
刘传清
李炳安
雷式祖
机构
襄阳师范高等专科学校物理系
出处
《湖北文理学院学报》
1996年第2期35-41,10,共8页
文摘
采用脉冲准分子激光沉积技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上沉积了具有高a-(200)取向的CuO掺杂的SnO_2薄膜.采用X射线衍射的(XRD)及透射电镜(TEM)扫描附件对不同温度下退火处理的样品进行了结构分析;同时对薄膜的温阻特性及气敏性能进行了研究。
关键词
高a轴(200)取向
CuO-SnO2薄膜
脉冲激光沉积(PLD)
结构分析
电学及气敏性能
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
脉冲准分子激光沉积高a轴(200)取向CuO—SuO_2薄膜
方国家
张增常
刘传清
李炳安
雷式祖
《湖北文理学院学报》
1996
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