红外热像法发射率校正及电学法温度补偿方法

主要对提升半导体分立器件红外热像法结温测量精度,及其与电学法温度补偿技术进行研究,从而实现电学法与红外热像法两者在结温方面的互通性。根据器件材料在不同温度下有不同发射率的理论基础,结合试验研究器件高结温发射率校正技术提升红外热像法结温测试精度,在此基础上理论与试验分析红外热像法与电学法的温度补偿方法,实现只进行红外热像法与电学法中的一种方法就可获得另一种方法的结温。

半导体器件热特性的电学法测量与分析

利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．

GaAsMESFET热特性电学法测量与分析

采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量、分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。

填埋场衬层渗漏的电学法检测研究进展

综述了几种常用的填埋场渗漏检测方法,指出电学法已成为填埋场不同运行阶段(施工期和运营期)渗漏检测的主流方法。分析了各阶段电学检测方法的适用条件和优缺点,在防渗膜铺设阶段,常利用双电极法或电极-偶极子法进行施工完整性检测;在填埋场运营期间,根据场地实际情况可以选择电极格栅法、基于物联网的监测预警云平台、阵列式偶极子法或高密度电法进行膜渗漏检测及长期监测。

电学法热阻测试仪校准方法研究

论文分析了电学法热阻测试仪的工作原理及测量过程,明确了测量过程中各个电、热参数对热阻测试结果的作用和意义。由热阻的基本定义出发,推导出了各种电热参数与热阻之间的测量模型,选择K系数测量电流的短期稳定性,电压测量值,加热电流和加热电压,加热平台温度,参考位置温度为主要校准参数。从整体校准的角度,给出了校准方法,分析了各种影响量引入的测量不确定度,给出了最终测量不确定度评定过程。为实现电学法热阻测试仪的整体校准奠定了基础。

功率型LED结温电学法测量研究

随着节能技术的发展,LED作为一种半导体照明技术,得到研究者的关注。以此为背景,针对LED灯工作过程中产生大量热量的散热技术开展研究。基于LED正向电压随温度变化的原理,运用电学法,以1W普通正装GaN基LED为例,对其温度系数和正向压降进行测量,分析得出热阻与结温值。并利用红外热像仪法和管脚温度法对电学法测温结果进行了验证,证明了该方法的测温精度。

某GaAs MMIC功率放大器热特性的电学法测量

与场效应管不同,MMIC功放由于集成了电阻、电容等电子元器件,其热特性的电学法测量非常困难。文中研究并设计了相应的测量方法和装置,利用新型的静态电学法测量了2个GaAs MMIC功率放大器的热特性,得到各层热阻构成和瞬态热阻,并通过结构函数对比发现2个样品的金锡焊接层存在一定的差异。经实验对比发现,静态电学法的热阻测量结果和红外法(10μm)结果相当,但静态电学法具有快速、便捷的优点。

GaAs MESFET沟道温度电学法测量的理论分析

1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的沟道温度—电学法测试,能够非破坏性地快速测量封装后的成品管的沟道温度和热阻。并由此对GaAs MESFET进行考核和筛选,是当今快速筛选和考核的重要方法。 电学法测量出的温度普遍认为是器件有源区上的平均温度,但是这种温度与其器件芯片中的各种温度如最高温度、统计平均温度及芯片表面温度分布的关系如何,还未有过详细的研究。本文将对电学法测得的温度通过建立热模型进行模拟。

基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法研究

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为试验对象,测量并计算得到其温度系数M=-1.835 8 mV/℃。设计测量电路,并对测量中延迟时间造成的误差进行分析修正,得到达林顿管延迟时间为零时精确结温,最终获得达林顿管稳态热阻的测量计算方法。该方法有助于获得器件关键热性能参数,有助于老炼试验等对结温有要求的试验获得精确结温。

LDMOS热阻的电学法测试与分析

基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值。对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻的方法。改变管壳与恒温平台的接触情况,分别测出不同接触情况下的热阻值,对比发现接触情况会影响结到壳热阻的大小,提出了减小接触热阻的方法。

非开关式电学法实时测量快恢复二极管瞬态温升

快恢复二极管(FRD)工作条件下,结温的实时测量和监控问题始终是个难题。利用脉冲大电流消除结自升温,测量校温曲线,然后基于该校温曲线利用非开关式电学法实现实时测量FRD的瞬态温升。对比了非开关式电学法,红外法以及开关式电学法三种方法测量的瞬态温升曲线。结果表明,在1 W功率下,TO-247-2L封装型的FRD非开关式电学法测量结温的稳态温升为42℃,比开关式电学法及红外法分别高1.2%和2.4%。结果证明,非开关式电学法可以准确地测量器件温升,解决了实时测温的问题,可以避免开关式电学法由于电流切换所造成的结温误差。

一种基于电学法的高准度水汽透过率测试模型

针对传统电学法水汽透过率(water vapor transmission rate,WVTR)测试高精度、低准度的问题,提出了一种电流分布特性修正的高准度WVTR测试模型,并基于此测试模型设计了一套完整的、易于使用的WVTR测试系统.系统硬件采用了便于维护的高适应性夹具、全封闭测试环境等设计,软件采用了多线程、时间误差补偿、自适应修正等算法.理论分析和实际测试结果表明,修正后的WVTR测试模型及测试系统实现了兼具使用成本低和高精度、高准度的设计目标.

基于电学法的封装器件中电容影响研究

文中为获取在一个管壳中与电容并联的二极管的工作温升,搭建二极管与电容并联的被测器件环境,根据测量半导体器件工作温升的温敏电学参数法原理,进行被测器件的瞬态工作温升测量实验与分析。基于电学法测量的瞬态温度响应曲线,从电容容量,加热时间等角度分析并联电容对二极管工作温升的影响。研究结果表明,在封装器件中电容无法拆卸的情况下,并联电容对二极管的总温升造成损失;基于电学法与改变加热时间的测量,可有效减小电容影响,为获取封装器件中并联电容的二极管的温升提供有效解决方案。

浅析电学法测量LED结温热阻时测试电流对测试结果的影响

简单介绍结温、热阻测试的重要性及电学法测试原理。以1 W白光LED灯珠为研究对象,通过小电流测试K系数法测量灯珠的结温、热阻,利用不同的测试电流进行测试。通过测试分析发现,在避免灯珠有明显发热的测试电流下,对结温、热阻的测试结果没有太大的影响。

电学无损检测法在活立木中的应用与展望

活立木作为优秀的可再生自然资源,对空气净化、城市美观、提供建材等起到重要作用。我国的森林资源仍较为短缺,而木材需求量较大,二者之间存在着巨大的供给性矛盾,且木材的利用率相对偏低。对活立木进行无损检测研究,是提高活立木利用率的重要手段。电学无损检测法是利用木材电阻对内部腐朽的灵敏度较高的特点,有效检测腐朽大小、位置以及程度。本文通过介绍针式探测法、四点测试法和断层成像法三种电学无损检测发原理以及国内外现状,对成果进行总结分析并提出思考建议,以期为我国电学无损检测法在活立木无损检测中的应用发展提供参考。

垃圾填埋场防渗层渗漏检测方法的比较

对目前国外几种垃圾填埋场防渗层渗漏检测方法 (地下水检测法 ,扩散管法 ,电容传感法 ,追踪剂法 ,电化学感应电缆法 ,电学法 )进行了详细的叙述和比较 。

一种IGBT热阻的测量方法

绝缘栅双极晶体管(IGBT)工作时会产生大量的热,这不仅会影响到其工作的可靠性,还会对其周围的电路产生影响,降低整个系统的性能。因此,对其进行准确的温升和热阻测量具有重要意义。阐述了利用电学方法测量IGBT温升和热阻的原理,选取集射极电流恒定、栅极-集电极短路时的集射极电压作为温度敏感参数,给出了测量步骤和测量结果。通过与红外测量结果的对比可以看出该方法具有测量装置简单、测量结果重复性好的优点,可作为测量IGBT温升及热阻的一种方法。

大功率IGBT模块瞬态热阻的测试方法与装置

为了表征大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的瞬态热响应行为,设计并实现了一种基于电学法的IGBT模块瞬态热阻测试装置.通过改变热阻测试装置的加热脉冲持续时间,使其等于不同材料层的热时间常数,控制热流在IGBT模块封装材料中的有效传播路径,进而获得各封装材料的瞬态热阻.此外还具体分析了高低电平转换过程中暂态噪声和边界散热条件对测试结果精度的影响规律.结果表明,该装置具有较好的精确性和重复性,这将有助于准确无损分析器件及不同封装材料在瞬态条件下的散热性能,指导IGBT模块封装结构设计和封装材料选择.

基于PID自校准算法的IGBT温升控制实现

针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制IGBT温升.通过MATLAB进行PID建模及参数仿真,采用电学法测试原理并结合嵌入式系统测试IGBT结温,使用PID自校准算法控制器件温升进行IGBT热疲劳测试.实验结果表明:该算法的调节方式和温度精度都达到理想的效果,改善了系统的动态性能,为IGBT寿命预测提供了一个良好的实验环境.

半导体器件封装热阻测试方法及其研究

本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置,并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论。通过对半导体PN结温度系数的研究发现:温度系数的测定准确性主要与被测点的温度范围有关,而与所选温度点的个数关系不大.最后本文对半导体器件开帽与不开帽测量热阻进行了讨论.