一种新型电容修调RC振荡器

为了降低RC振荡器的功耗,并提高振荡频率的稳定性,提出一种新型的RC振荡器电路。该振荡器采用单比较器,结合电容修调结构。基于0.35μm BCD工艺及Hspice仿真工具,完成了电路的设计和仿真,仿真结果表明,该振荡器正常工作频率为51 k Hz,由于温度和电源电压变异,频率变化范围为47.54~53.97 k Hz,最大功耗电流为2.1μA,面积为150μm×180μm,具有较低的功耗,可以提供相对稳定的频率,能够应用于电源管理芯片。

带工艺修调的低温漂片内振荡器设计

针对片内CMOS振荡器频率稳定性不高的问题,提出了一种对温度和工艺的补偿方案。基准电压在正温度电阻上产生一路负温度系数的电流,将其与带隙基准产生的PTAT电流进行叠加得到零温度系数的电流对电容充电;采用数字修调网络对电容进行修调,振荡器频率的工艺漂移被显著降低。仿真结果表明：典型工作条件下,振荡器中心频率为1 MHz,占空比为50%;当温度在-40℃~125℃范围内变化时,振荡器输出频率漂移仅为0.8%;对电容进行修调后,在三种不同的工艺角下,输出频率相对误差仅为1.23%。振荡器对温度和工艺偏差不敏感,表现出良好的稳定性。