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基于Si-NPA的WO_3薄膜电容湿敏性能
被引量:
1
1
作者
董永芬
李隆玉
+2 位作者
冯春岳
姜卫粉
李新建
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期955-960,共6页
采用匀胶旋涂技术将WO3溶胶沉积在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上,经500℃退火制得WO3/Si-NPA复合薄膜。场发射扫描电镜和X射线衍射的表面形貌和结构分析表明,WO3在Si-NPA表面形成连续薄膜,且复合薄膜保持了Si-NPA规则阵列结构的特点。...
采用匀胶旋涂技术将WO3溶胶沉积在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上,经500℃退火制得WO3/Si-NPA复合薄膜。场发射扫描电镜和X射线衍射的表面形貌和结构分析表明,WO3在Si-NPA表面形成连续薄膜,且复合薄膜保持了Si-NPA规则阵列结构的特点。湿敏测试结果显示:在11%到95%的相对湿度范围内,WO3/Si-NPA湿敏元件输出电容强,且随测试频率的增加而单调降低;随着WO3薄膜厚度的增加,湿敏元件灵敏度明显增大,但元件相应的响应/恢复时间却延长。
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关键词
硅纳米孔柱阵列(Si—NPA)
WO3
电容型湿敏传感器
原文传递
题名
基于Si-NPA的WO_3薄膜电容湿敏性能
被引量:
1
1
作者
董永芬
李隆玉
冯春岳
姜卫粉
李新建
机构
郑州大学物理系材料物理教育部重点实验室
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期955-960,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10574112)
文摘
采用匀胶旋涂技术将WO3溶胶沉积在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上,经500℃退火制得WO3/Si-NPA复合薄膜。场发射扫描电镜和X射线衍射的表面形貌和结构分析表明,WO3在Si-NPA表面形成连续薄膜,且复合薄膜保持了Si-NPA规则阵列结构的特点。湿敏测试结果显示:在11%到95%的相对湿度范围内,WO3/Si-NPA湿敏元件输出电容强,且随测试频率的增加而单调降低;随着WO3薄膜厚度的增加,湿敏元件灵敏度明显增大,但元件相应的响应/恢复时间却延长。
关键词
硅纳米孔柱阵列(Si—NPA)
WO3
电容型湿敏传感器
Keywords
silicon nanoporous pillar array ( Si - NPA)
WO3
capacitive humidity sensor
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Si-NPA的WO_3薄膜电容湿敏性能
董永芬
李隆玉
冯春岳
姜卫粉
李新建
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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参考文献
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