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一种超薄硅薄膜的制作方法
被引量:
6
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作者
李忻
车录锋
王跃林
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第4期388-390,共3页
超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术,得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在...
超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术,得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级,为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础。
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关键词
超薄硅薄膜
制作方法
内应力
形变
电容式微差压传感器
原文传递
题名
一种超薄硅薄膜的制作方法
被引量:
6
1
作者
李忻
车录锋
王跃林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第4期388-390,共3页
基金
上海市科学技术发展基金和王宽诚博士后基金资助
文摘
超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术,得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级,为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础。
关键词
超薄硅薄膜
制作方法
内应力
形变
电容式微差压传感器
Keywords
silicon diaphragm
intrinsic stress
deformation
micromachined cap acitive differential pressure sensors
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN304. [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种超薄硅薄膜的制作方法
李忻
车录锋
王跃林
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002
6
原文传递
已选择
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