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硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析
被引量:
3
1
作者
田原
杨静
王云彪
《电子工艺技术》
2016年第3期168-170,186,共4页
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的...
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。
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关键词
电容法测厚
机械
法
测
厚
硅化学腐蚀片
硅抛光片
下载PDF
职称材料
题名
硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析
被引量:
3
1
作者
田原
杨静
王云彪
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《电子工艺技术》
2016年第3期168-170,186,共4页
文摘
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。
关键词
电容法测厚
机械
法
测
厚
硅化学腐蚀片
硅抛光片
Keywords
mechanical thickness measurement
capacitance thickness measurement
etched wafers
polished wafers
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析
田原
杨静
王云彪
《电子工艺技术》
2016
3
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职称材料
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