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注F的MOS电容电高辐射效应研究
1
作者
胡浴红
赵元富
王英明
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期44-47,共4页
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/...
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。
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关键词
注入
氧化物电荷
MOS
电容电离辐射
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职称材料
题名
注F的MOS电容电高辐射效应研究
1
作者
胡浴红
赵元富
王英明
机构
中国航天工业总公司
出处
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期44-47,共4页
文摘
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。
关键词
注入
氧化物电荷
MOS
电容电离辐射
分类号
TN386.105 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
注F的MOS电容电高辐射效应研究
胡浴红
赵元富
王英明
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1995
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