SiC MESFET的大信号电容解析模型

考虑 4H SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点 ,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论 ,结合双曲正切函数的描述方法 ,导出了适用于 4H SiCMESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型 ,其模拟结果与实验值有很好的一致性 .该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点 。