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题名一种高效率的ACBC-C三级运放的设计
被引量:2
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作者
和雨
肖知明
王宇
胡伟波
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机构
南开大学电子信息与光学工程学院
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出处
《电子技术应用》
2020年第6期36-39,50,共5页
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基金
广东省重点领域研发计划(2019B010128001)。
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文摘
采用TSMC 180 nm的CMOS工艺,设计实现了一个具有高效率、大的电容负载驱动能力的三级运算放大器。提出了一种基于共源共栅密勒补偿(Cascode Miller Compensation,CMC)和交流升压补偿(AC Boosting Compensation,ACBC)的ACBC-C补偿结构,其中,ACBC通过增加一条交流通路的方式提高了GBW以及电容驱动能力。输出级采用AB类结构以实现高效率。CMC可以适应AB类输出级结构,在保证线性度的同时实现效率最大化,并且消除密勒电容带来的零点,更好地对稳定性进行补偿。电路仿真结果表明:当设定相位裕度下限为45°时,最大可承受负载电容约为3100 pF;当在输出端接1000Ω负载电阻时,电路效率为95.299%。
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关键词
电容负载驱动能力
AB类输出级
交流升压补偿
共源共栅密勒补偿
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Keywords
capacitive load driving capability
class AB output stage
AC boosting compensation
cascode Miller compensation
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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