C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响

采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。

CV法测试电阻率的稳定性研究

文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15魡的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响。

CV法测试电阻率的稳定性研究

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15?的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。

N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响。通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差<±1%。

太阳电池工艺中链式扩散与管式扩散对比研究

简要介绍链式和管式扩散的基本原理,并通过实验,给出扩散后硅片表面磷浓度、pn结结深、方阻不均匀度和电池片电性能等方面的对比分析,验证相比于管式扩散,链式扩散所具有的优劣势。链式扩散在拥有提高产量、降低生产成本和减少环境污染的优势条件下,虽然开路电压略有降低,但电池片光电转换效率仍能和采用传统管式扩散工艺制备的电池片相持平,技术水平已适用于大规模产业化生产。

SiO_(2)掺杂对ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷电学性能的影响

在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容-电压特性法测试其晶界参数。结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰。随着SiO_(2)掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0%(摩尔分数)时最低,SiO_(2)的掺杂明显降低了在10^(5)Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO_(2)掺杂量的增加先增加后减小,在SiO_(2)掺杂量为1.0%时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φ_(b)在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×10^(24)m^(-3),同时漏电流I_(L)为0.31μA/cm^(2)。