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线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
+1 位作者
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1108-1110,共3页
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般...
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 .
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关键词
线性余因子差分亚阀
电
压峰
电应力诱生
MOSFET
界面陷阱
MOS器件
应力
时间
下载PDF
职称材料
正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文)
2
作者
何进黄
爱华
+1 位作者
张兴
黄如
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期957-961,共5页
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- ...
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.
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关键词
界面陷阱
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
电应力诱生
场效应晶体管
下载PDF
职称材料
题名
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
黄如
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
美国加州大学BERKELEY分校EECS系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1108-1110,共3页
基金
国家重大基础研究项目 (No.2 0 0 0 0 3650 1 )
文摘
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 .
关键词
线性余因子差分亚阀
电
压峰
电应力诱生
MOSFET
界面陷阱
MOS器件
应力
时间
Keywords
MOSFETs
interface traps
linear cofactor difference operator
electrical stress effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文)
2
作者
何进黄
爱华
张兴
黄如
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期957-961,共5页
基金
Motorola和北京大学联合资助项目 (合同号:MSPSDDLCHINA-0 0 0 4)
文摘
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.
关键词
界面陷阱
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
电应力诱生
场效应晶体管
Keywords
F-N effect
stressing-induced interface tra p density
R-G current
gated-diode
MOSFET/SOI
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
何进
张兴
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
2
正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文)
何进黄
爱华
张兴
黄如
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
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引证文献
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