脉冲和交流应力下互连的电徒动失效模型

报导了一种电徒动失效模型,它能预计脉冲直流和交流应力下的电徒动寿命.实验结果指出,不同金属化系统(Al—2%Si,Al—4%Cu/TiW,Cu)显示了相似的失效特性,该特性能由上述模型解释和预测.研究发现,脉冲直流寿命长于直流寿命,交流寿命更长.这一认识放宽了与金属化承受脉冲直流和交流电流有关电路的设计要求.使进一步提高电路密度和速度的设计成为可能.

半导体器件金属化热电徙动的温度测试

在金属化布线电徙动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为150℃，电流密度为3×106A／cm2和5×106A／cm2时，金属薄膜温度分别高于环境温度32．5℃和100℃；提出了扩散电阻测温法，在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试．

Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究

在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失效机理为Ａｌ、Ｓｉ互扩散，致使ＥＢ结退化．而采用ＴｉＮ阻挡层的器件发射区中未发现Ａｌ离子，ＴｉＮ有效阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，提高了界面稳定性。