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富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常
被引量:
3
1
作者
宋志棠
林成鲁
+2 位作者
任巍
张良莹
姚熹
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
1999年第1期19-26,共8页
采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象,其异常程度随时间加剧.这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果....
采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象,其异常程度随时间加剧.这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果.陷附电荷对电畴的钉扎程度与陷阱电荷的密度以及陷附电荷与电畴的作用状况有关,通过改变晶界处的陷阱电荷的密度与分布可改变薄膜电性能的异常程度.
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关键词
铁电薄膜
电性能异常
铅
PZT
存储器
原文传递
题名
富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常
被引量:
3
1
作者
宋志棠
林成鲁
任巍
张良莹
姚熹
机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
西安交通大学电子材料与器件研究所
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
1999年第1期19-26,共8页
基金
国家自然科学基金!No.59582011
No.69728020
文摘
采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象,其异常程度随时间加剧.这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果.陷附电荷对电畴的钉扎程度与陷阱电荷的密度以及陷附电荷与电畴的作用状况有关,通过改变晶界处的陷阱电荷的密度与分布可改变薄膜电性能的异常程度.
关键词
铁电薄膜
电性能异常
铅
PZT
存储器
Keywords
P-E hysteresis loops, C-V curves, Pinning centers, Trapped charges
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常
宋志棠
林成鲁
任巍
张良莹
姚熹
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
1999
3
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