期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常 被引量：3
1
作者 宋志棠 林成鲁 +2 位作者 任巍 张良莹 姚熹 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第1期19-26,共8页
采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜．观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象，其异常程度随时间加剧．这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果．... 采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜．观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象，其异常程度随时间加剧．这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果．陷附电荷对电畴的钉扎程度与陷阱电荷的密度以及陷附电荷与电畴的作用状况有关，通过改变晶界处的陷阱电荷的密度与分布可改变薄膜电性能的异常程度． 展开更多
关键词 铁电薄膜 电性能异常 铅 PZT 存储器
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部