基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。

铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究

铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。

基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。

基于电感耦合等离子体刻蚀的LNOI脊形微结构制备

铌酸锂(LiNbO 3,LN)是一种广泛使用的介电材料,由于其电光系数大,透明范围大,本征带宽宽,因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好,刻蚀速率慢,其微结构参数难以控制。针对以上问题,该文开展了基于电感耦合等离子体刻蚀(ICP-RIE)的LNOI脊形微结构的制备工艺研究,分析了腔室压强、气体总流量及刻蚀功率等参数对刻蚀速率、刻蚀倾角和表面粗糙度(RMS)的影响。研究表明,在优化的工艺条件下,LNOI薄膜的刻蚀速率达到24.9 nm/min,制备出刻蚀深度249 nm、刻蚀倾角76°、表面粗糙度(RMS)0.716 nm的LNOI脊形微结构。该文通过对刻蚀工艺与微观结构参数的研究,建立了基于ICP的LNOI微结构刻蚀方法,为控制LNOI脊形光波导和提升性能提供了工艺支撑。

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定牙膏和化妆品中的锶和其它8种元素

目的:采用合适的样品前处理方法和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定牙膏和化妆品中的锶和其它元素铅、镉、砷、铬、银、钡、镍和硒.方法:选择微波消解法、酸湿式消解法、干式消解法和直接硝酸超声浸提法对样品进行前处理,对比这几种方法的结果.优化仪器测定参数以适应此类样品测定.测定方法的线性范围、相关系数、检出限、精密度、加标回收率、标准物质测定等,探讨相关结果的影响因素.结果:本法采用线性范围锶为0～50μg/ml,其它元素为0～500 ng/ml,相关系数大于0.9990,方法检出限锶44ng/g、铅9 ng/g、镉19 ng/g、砷150 ng/g、铬35 ng/g、银7.5 ng/g、钡12.5 ng/g、镍18 ng/g、硒340 ng/g,样品测定11次所有元素相对标准偏差小于4.5%,加标回收率在82%～115%之间,标准物质的元素测定值在标准值范围之内.结论:用ICP-MS同时测定牙膏和化妆品中的9种元素,具有良好的准确度和精密度,灵敏度高,检出限低,线性范围宽,元素之间的干扰少,能适应不同样品基体,样品前处理采用微波消解法,是高效可行的方法.

电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究

随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定生榨甘蔗汁中的微量元素

目的研究测定生榨甘蔗汁中微量元素测定方法，是了解生榨甘蔗汁中微量元素营养成分的必需。方法电感耦合等离子体发射光谱测定法（ICP—AES）。结果方法中各元素的检测限为0．001～0．01μg·mL～，准确度为97．O％～106．O％，精密度为1．01％～3．62％。结论本法检测限低、准确度高、精密度好，可应用于生榨甘蔗汁中多元素同时测定。

氟里昂(CF_2Cl_2)对电感耦合等离子体(ICP)放电特性的影响——ICP技术在危险废弃物处理方面的应用研究

为了发展用于处理难消解危险废物的电感耦合等离子体（ＩＣＰ）技术，本文研究了当氟里昂１２进入ＩＣＰ时，在不同操作条件下ＩＣＰ的激发温度与电子密度的变化趋势，并论述了其成因及其对废物处理的优势。

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定红糖中的微量元素

目的红糖人药胜过白砂糖和冰糖，其机理在哪？是糖中的桔水成分，或是红糖中的矿物质成分，值得研究。方法采用微波消解法处理样品，用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP—AES）测定红糖中的微量元素。结果14种微量元素的检测限为1．1—7．3μg·L-1，方法准确度为96．7％-109．4％，方法精密度为0．88％-9．15％。结论微波消解样品快速、准确，用ICP—AES同时测定红糖中的镁、锌、铁、铜、铬、锰、钒、锶、镍、钴、硼、铅、镉和钛等14种微量元素，检出限低，适用于红糖微量元素的常规检测。

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)同时测定水中多种元素

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对水中微量元素Li、Be、Al、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、As、Mo、Ag、Cd、Ba、Hg、Pb进行分析,通过在线加入内标校正基体效应和接口效应,通过修正方程校正质量数干扰,测定元素校正曲线相关系数都在0.9995以上,各元素检出限在0.01～4.12ug·L-1,RSD%<10(n=10)加标回收率在91.2%￣118.3%,。

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定铀矿石中微量钪、硒、铼

用HF-HNO3-HClO4溶解样品,在0.6mol L盐酸介质中,用ICP-AES法对铀矿石中钪(Sc)、硒(Se)、铼(Re)进行了测定.测得各元素的测定下限分别为:Sc0.03μg mL、Se0.03μg mL、Re0.016μg mL.低、中、高3种浓度的平均标准加入回收率为96%～106%,相对标准偏差小于8%.

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定饮用天然矿泉水中微量钼

应用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)直接测定饮用天然矿泉水中微量钼,具有干扰少、谱线相对简单、检出限低、动态线性范围宽、测定快速的特点。方法加标回收率在94.5%～110%之间,检出限为0.007μg/L,相对标准偏差小于3.8%,适用于饮用天然矿泉水中微量钼的测定。

InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。

GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析

通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。

工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响

为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势.

电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定稀土镁合金中锆

以硝酸和硫酸溶解样品,通过选择元素间无干扰的光谱线343.823nm作为Zr的分析线,采用镁基体匹配,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了稀土镁合金中锆,检出限为0.002μg/mL,方法用于稀土镁合金中锆的测定,加标回收率为103.5%,11次平行测定的相对标准偏差为0.8%。

基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究

研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450～1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175～190。掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺。

电感耦合等离子体质谱测定不同酒类中铬、砷、镉、汞、铅含量

应用微波消解处理酒样，不经富集直接用ICP—MS测定Cr、As、Cd、Hg、Pb含量，方法快速，干扰少．测定的33种不同酒样中Cr、As、Cd、Hg、Pb的含量均值分别为45．84、19．53、2．22、1．92μg·kg^-1和115．06μg·kg^-1，其中白酒中含量最高，葡萄酒和啤酒居次，黄酒含量最低．Cr、As、Cd、Hg、Pb的检出限分别为0．063、0．082、0．007、0．001μg·L^-1和0．080μg·L^-1，各元素的加标回收率基本在90%～110％，RSD（n=10）在0．25％～6．76％．

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定海绵钛中铁硅锰镁

报告了用硫酸和硝酸溶解样品，然后用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定海绵钛中铁、硅、锰和镁的方法。测定时分别选择238．204nm，251．611nm，257．610nm和279．553nm作为铁、硅、锰、镁的分析线，光谱干扰通过对背景发射位移进行2-点校正办法消除。精密度试验表明，对同一样品进行10次测定得到各元素相对标准偏差均小于或等于5％。用标准加入法做了回收率试验，所得回收率在90％～130％之间。