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电感耦合等离子体质谱在微量物证检验中的应用(英文) 被引量:4
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作者 郭洪玲 乔婷 +4 位作者 宋小娇 韩星星 高婷 权养科 朱军 《刑事技术》 2016年第6期470-475,共6页
法庭科学领域微量物证检验中,元素分析是非常重要的一个方面。通过分析物证中的主要元素和微量元素,可以为物证之间的比对检验和物证溯源提供关键信息。虽然目前有很多微量物证的元素分析方法,但电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)技术是在... 法庭科学领域微量物证检验中,元素分析是非常重要的一个方面。通过分析物证中的主要元素和微量元素,可以为物证之间的比对检验和物证溯源提供关键信息。虽然目前有很多微量物证的元素分析方法,但电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)技术是在近十年愈益受到关注和应用。相对于常用的元素分析方法,如X射线荧光光谱法、原子吸收光谱法、中子活化分析以及波长(或能量)色散X射线能谱法,ICP-MS分析法有很多优点,比如更适合于微量物证的检验分析,只需要很少的样品量,就可以完成主要元素和微量元素的同时分析;如果配置激光蚀刻进样系统,就不需对样品进行复杂的前处理,可大大节省时间和物力;同时,激光蚀刻进样只需要非常小的样品量,几乎是无损检验,能够避免像X射线荧光光谱对样品表面必须平整的要求。在我们微量物证检验实验室,应用溶液进样和激光烧蚀取样两种模式以ICP-MS分析法进行了很多有价值的工作,本文对相关部分工作进行介绍和总结。通过对重金属中毒检验,通过微波消解-ICP-MS法对死者组织中汞(Hg)、钛(Ti)、铬(Cr)、砷(As)等元素含量的准确分析,帮助推断了死亡原因;对环境污染案件中提取的泥土样品,经微波消解后进行ICP-MS检验,分析了嫌疑排放污物对环境的污染程度;对土壤样品,采用碰撞反应池技术和标准分析模式,定量检验了30余种元素,为泥土样品的比对和地源推断提供了丰富的信息;对小样品量泥土样品,通过激光蚀刻-ICP-MS检验,优化了激光的烧蚀参数。以此为基础,还利用激光蚀刻-ICP-MS法对案件中收集到的假币纸张进行了检验,经数据聚类和主成分分析,使12起案件中的8起得到串并。此外,利用激光蚀刻-ICP-MS法对按主要成分无法区分的细金属丝(铁丝)进行检验,通过其微量元素的种类与含量测定,对金属丝作了进一步的分辨。再有,利用ICP-MS的同位素比值分析方法,对国内主要子弹生产厂家的41枚子弹弹头进行了铅(Pb)元素同位素比分析,既对铅弹头进行了辨识,又通过铅元素同位素比值数据建立了子弹头与生产厂家间的关联。ICP-MS的应用方法在本实验室仍在不断开发中,如对地质样品进行元素分布分析,以及结合激光蚀刻的厚度蚀刻功能,对不同层次的油漆样品作分层检验等。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱 激光蚀刻电感耦合等离子体质谱 微量物证 元素分析 同位素比值
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深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
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作者 成立 王振宇 +3 位作者 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期35-40,共6页
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及... 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子蚀刻 考夫曼离子 电子回旋共振 电感耦合等离子蚀刻
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GaAs基底上制备圆孔阵列光栅及其影响因素研究
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作者 石铸 全保刚 +1 位作者 阚强 胡放荣 《桂林电子科技大学学报》 2024年第3期323-330,共8页
为解决半导体激光器的偏振问题,提出了一种利用泰尔博特位移光刻曝光技术在Ga As衬底上制作周期光栅的方法,并系统研究了工艺参数和抗反射层对制备的周期光栅质量的影响。利用二次光刻工艺和反应离子蚀刻工艺在Ga As衬底上制备圆孔阵列... 为解决半导体激光器的偏振问题,提出了一种利用泰尔博特位移光刻曝光技术在Ga As衬底上制作周期光栅的方法,并系统研究了工艺参数和抗反射层对制备的周期光栅质量的影响。利用二次光刻工艺和反应离子蚀刻工艺在Ga As衬底上制备圆孔阵列周期光栅;通过电感耦合等离子体蚀刻设备制造均匀光栅。实验结果表明,该工艺流程可制备深度为20~150 nm的动态可调圆孔阵列周期光栅;当曝光剂量为30 m J·cm^(-2),曝光光强度为2 m W·cm^(-2),显影时间为1 min时,所曝光出的周期光栅符合实验要求;重复实验证明了利用泰尔伯特位移光刻技术制备光栅工艺的可行性及稳定性。 展开更多
关键词 泰尔伯特位移光刻曝光技术 光栅 反应离子蚀刻 电感耦合等离子蚀刻 半导体激光器
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