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周期极化铌酸锂晶体电控光栅 被引量:1
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作者 张欣欣 佘卫龙 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期29-36,共8页
提出周期极化铌酸锂晶体电控宽带光栅,并利用耦合波理论,推导出电控光栅的衍射光光强分布解析表达式。数值结果表明,该电控光栅的衍射光谱可被外加电场调控。在310V的外加电压下,1.21~1.83μm波段的1级光衍射效率达到60%以上,... 提出周期极化铌酸锂晶体电控宽带光栅,并利用耦合波理论,推导出电控光栅的衍射光光强分布解析表达式。数值结果表明,该电控光栅的衍射光谱可被外加电场调控。在310V的外加电压下,1.21~1.83μm波段的1级光衍射效率达到60%以上,在1.5μm的1级衍射光衍射效率为70%;而在165V的外加电压下,0.68.0.92um波段的1级光衍射效率达到60%以上,在0.8μm的1级衍射效率为81%。该电控光栅响应时间短,故有望在高速光开关、波分复用器或调制器方面有重要应用。 展开更多
关键词 非线性光学 电光效应 耦合波理论 电控光栅
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电控平行排列液晶光栅的光衍射特性研究 被引量:1
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作者 王俐 卢亚雄 +2 位作者 黄子强 邹杰宇 蔡宁 《现代显示》 2006年第12期57-60,共4页
对电控平行液晶光栅的理论进行了分析,并配以结构原理图。通过对平行排列及90°扭曲排列液晶指向矢的计算,得出液晶盒中相应的折射率、相位差与电压之间的关系图,两者经比较证明平行排列更具适用性,并在实验中观测到了平行排列液晶... 对电控平行液晶光栅的理论进行了分析,并配以结构原理图。通过对平行排列及90°扭曲排列液晶指向矢的计算,得出液晶盒中相应的折射率、相位差与电压之间的关系图,两者经比较证明平行排列更具适用性,并在实验中观测到了平行排列液晶光栅衍射特性与电压的关系。 展开更多
关键词 平行排列 电控液晶光栅 液晶指向矢 折射率 衍射特性
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聚合物分散液晶体全息光栅在1550 nm波长处选择性模拟
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作者 郑继红 顾玲娟 +2 位作者 庄松林 沈国土 杨宝成 《上海理工大学学报》 EI CAS 北大核心 2006年第4期359-362,366,共5页
介绍了制作体全息聚合物分散液晶光栅的基本原理.根据光栅的衍射特性计算公式,利用matlab程序对H PDLC光栅在中心波长为1 550 nm处的波长选择特性进行模拟,并且进一步实现H PDLC动态光强增益均衡器功能.计算结果表明,在光栅条纹法线同... 介绍了制作体全息聚合物分散液晶光栅的基本原理.根据光栅的衍射特性计算公式,利用matlab程序对H PDLC光栅在中心波长为1 550 nm处的波长选择特性进行模拟,并且进一步实现H PDLC动态光强增益均衡器功能.计算结果表明,在光栅条纹法线同光栅表面法线的夹角为150°、光线入射角度为0°、光栅厚度为40μm、折射率调制为0.005时,光栅在1 550 nm处的衍射谱线半宽度能够达到10 nm. 展开更多
关键词 聚合物分散液晶 电控光栅 体全息 动态增益均衡器
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影响聚合物分散液晶体全息光栅衍射效率因素的分析 被引量:14
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作者 郑继红 陈刚 +2 位作者 顾玲娟 裘颖刚 庄松林 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期524-528,共5页
介绍了全息聚合物分散液晶 (H PDLC)体全息光栅形成机理。从理论上分析了衍射效率、折射率调制幅度以及散射对衍射特性的影响。通过实验研究了聚合物分散液晶 (PDLC)微观结构及PDLC材料配方、曝光时间、空间频率、膜层厚度以及外加电压... 介绍了全息聚合物分散液晶 (H PDLC)体全息光栅形成机理。从理论上分析了衍射效率、折射率调制幅度以及散射对衍射特性的影响。通过实验研究了聚合物分散液晶 (PDLC)微观结构及PDLC材料配方、曝光时间、空间频率、膜层厚度以及外加电压等影响H PDLC光栅衍射效率的主要原因。实验研究表明 ,材料配方是影响最大的因素。较小的膜层厚度、较小的光束夹角和较短的曝光聚合固化时间有利于衍射效率的提高。在光束夹角为17° ,PDLC膜厚为 10 μm ,4 4 1 6nm激光功率 5 0mW ,曝光时间约 30s的情况下 ,利用改进的PDLC配方制作了衍射效率为 90 展开更多
关键词 信息光学 聚合物分散液晶 体全息光栅 衍射效率 电控光栅
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Tunable D peak in gated graphene 被引量:1
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作者 Anna Ott Ivan A. Verzhbitskiy +3 位作者 Joseph Clough Axel Eckmann Thanasis Georgiou Cinzia Casiraghi 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期338-344,共7页
We report the gate-modulated Raman spectrum of defective graphene. We show that the intensity of the D peak can be reversibly tuned by applying a gate voltage. This effect is attributed to chemical functionalization o... We report the gate-modulated Raman spectrum of defective graphene. We show that the intensity of the D peak can be reversibly tuned by applying a gate voltage. This effect is attributed to chemical functionalization of the graphene crystal lattice, generated by an electrochemical reaction involving the water layer trapped at the interface between silicon and graphene. 展开更多
关键词 GRAPHENE GATING defects DOPING ELECTROCHEMISTRY
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