电可擦除可编程只读存储器在嵌入式系统的应用研究

在嵌入式系统应用中,为了避免控制系统在配置初始化数据、设置运行参数等在突发掉电情况下重要信息丢失,常采用电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)[1]。嵌入式EEPROM存储器已成为当今片E系统设计解决方案的一个至关重要的部分。为了解决存储器读写控制难的问题,本文以FPGA作为主控制芯片,采用自顶向下的设计理念,研究设计了一款基于可编程逻辑的读/写EEPROM控制器[2],经过对控制系统的功能需求分解、设计实现及仿真验证,证明该控制器具有读写数据稳定、使用方便、成本低廉、适用性广等特点。

电可擦除存储器单元的模型

本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立ＥＥＰＲＯＭ 单元器件的等效电路的模型，利用本模型对ＥＥＰＲＯＭ 单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟。

DS2430A 256位一线电可擦除只读存储器

介绍DS2430A的结构、工作原理、存储器功能命令、ROM功能命令和一线bus通信协议,给出DS2430A的主要电气参数,并提供一个存储功能的例子。

一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

可擦除可编程只读存储器的复制

目前计算机技术迅速发展 ,EPROM在程控系统中得到广泛应用。本文从应用的角度 ,设计一种切实可行的能对EPROM进行程序复制的电路 ,并扼要的阐述了电路的工作原理 ,让从事各种程控系统的工作人员 ,在不具备EPROM程序复制所需的专门设备情况下 ,也能把程序复制和写入到EPROM中去。

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。

中芯国际发布0．18微米电可擦除只读存储器工艺技术及智能模块设计平台

日前，中芯国际集成电路制造有限公司，宣布其研发出的0．18微米电可擦除只读存储器（EEP—ROM）工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户，中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦除只读存储器智能模块设计平台。

基于串行可电擦除存储器(EEPROM)的CPU监控器X4043/45在小脑电刺激器系统中的应用

介绍了基于串行EEPROM的CPU监控器X40 43 / 45工作原理 ,讨论了它在小脑电刺激系统中的应用 。

ADuC8xx系列单片机闪速/电擦除数据存储器及其应用

Adu C8xx系列单片机是美国 A DI公司新推出的具有真正意义上的完整的数据采集芯片 ,目前有 Adu C812 ,Adu C816,Adu C82 4三种型号 ,分别具有一个 12位 ,16位和 2 4位的 A /D转换器。他采用了闪速 /电擦除存储器 ,辅之以内含的加载器和调试软件 ,解决了以 ROM为基础的芯片产品的灵活性差、仓储困难等缺点 ,而且不需要任何硬件仿真器就可以对 A du C8xx的应用系统进行调试开发。由于闪速 /电擦除存储器的结构 ,擦除必须以页为单位完成 ,因此给出一个擦除命令时 ,至少将擦除 4个字节 (1页 )。

基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。

FRAM——一种新型的电存储器

从原理、特性和应用领域等方面介绍计算机产业中出现的新热点——铁电存储器（ＦＲＡＭ），预示了它的发展前景。

存储式随钻测井下井仪器硬件电路及软件编程

文章运用单片机原理及数据采集、通讯的知识 ,将数据存储容量扩展为 4MB并由单片机控制采样和存储 ,采样间隔为 1s,存储好的数据由单片机的串行口输出。文中的单片机采用的是 89C5 1,外部扩展存储器采用HM6 2 85 12 (8片 ) ,ADC0 80 9用于数据采集。

彩电存储器一览

存储器英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简写为：E^PROM或EEPROM，中文含义：电可擦可编程只读存储器。也就是说存储器内的数据可以擦去(抹掉)，也可以长时间保存记录下来供读取使用。尤如录音机磁带上的内容一样可以抹掉，也可以重新录制保存使用。

FLASH存储器的在系统编程及其在DSP系统中的应用

FLASH存储器的在系统编程技术及其基本命令,并结合TMS320C3X系列DSP的上电系统自动引导功能,介绍了利用该技术将用户程序代码烧写到FLASH存储器中的方法。该方法能够实现DSP系统上电后的用户程序自动引导。

单片机系统Flash存储器在系统编程设计

介绍了AM29F010B的编程要求,结合M68HC11上电自动引导功能,针对发动机控制单元设计中编程的问题,提供了一种Flash存储器在系统编程的方案,并给出了相应环节的程序流程图和部分操作的程序示例。笔者将该方法应用于发动机控制系统中,实现了将程序代码在线写入Flash存储器的功能。

键码式EPROM编程电路

目前,电子制作技术正朝着数字化,集成化和程序化的方向快速发展,但由于EPROM(紫外线擦除可改写只读程序存储器)的编程通常需要微机及仿真器等专门设备,这就大大限制了EPROM的开发和应用。本文介绍的EPROM编程电路,可通过键盘输入16进制的地址和数据码,并由LED数码管进行显示,其操作简单方便,比一般手动编程电路的编程速度要快得多,数据准确性也高得多,同时还具有快速读出查验和程序复制功能,是较为理想的EPROM编程开发工具。电路原理如图1和图2所示,主要由程序编写、地址及数据显示、程序复制三部分电路构成。