管电极尺寸对带TBC高温合金电火花小孔加工的影响

采用磨料冲蚀-电火花组合加工方法对带TBC高温合金进行30°斜孔加工试验。在形成TBC冲蚀孔形之后,采用不同尺寸管电极加工高温合金基体,研究管电极尺寸对TBC冲蚀孔形及金属孔形的影响。结果发现:随着管电极尺寸增大,重熔堆积物厚度随之增大,且堆积物生成区域扩大;选用较小尺寸电极进行加工时,会严重影响两孔形的匹配程度;虽然采用较大尺寸电极可以提高孔形匹配,但容易出现TBC裂纹、剥落等缺陷。

包含电极尺寸及位置信息的电磁流量计干标定模型

现有电磁流量计干标定模型中,电极尺寸、位置均被作了理想化处理,即假设电极尺寸无穷小、电极位于测量管段正中间的两个对称点上,两对称点连线与磁场垂直。这类理想化的模型与实际情况差异较大,限制了干标定的精度,并对产品一致性提出了很高的要求。针对这一问题,采用分离变量法建立了包含实际流量计电极尺寸及位置参数的电磁流量计干标定模型,比现有干标定模型更接近于实际流量计,有利于提高干标定精度,降低对产品一致性的要求。通过与现有模型及数值仿真的对比分析,验证了该模型的准确性。

电极尺寸对介质阻挡放电冷等离子体去除NO的影响

设计了一套高压电源装置以及相应的同轴圆柱 筒介质阻挡放电管 ,研究了放电管中心电极直径以及介质层管内径变化对放电冷等离子体去除NO的影响。实验结果表明 ,这 2种电极尺寸的变化对NO去除率有显著的影响。中心电极直径的增加 ,有助于增强放电 ,但同时减小了反应空间 ;介质层管内径增加 ,延长停留时间的同时放电的强度却相应减弱了。所以中心电极的直径或介质层的内径均应有一最佳值 ,使得其他条件不变的情况下NO的去除效果最佳。

电极尺寸对绝缘性陶瓷电火花加工特性的影响

采用辅助电极法 ,在设定实验条件下以不同直径的电极 ,对绝缘性陶瓷材料 Si3 N4 进行了电火花加工实验。根据实验结果 ,指出了绝缘性陶瓷材料 Si3 N4 在电火花加工时 ,电极尺寸对加工速度、加工量和加工表面粗糙度等加工特性参数的影响。

电极尺寸对液体乙醇微小扩散火焰的影响

主要分析不同尺寸电极对液体乙醇小尺度层流扩散燃烧的影响。电极材质为紫铜,形状为圆形,燃烧器采用石英玻璃喷管。借助实验手段研究不同尺寸电极作用下火焰的高度、直径、汽化状况的变化规律,为微型燃烧器的设计提供一定的理论参考。

相变存储单元RESET电流与电极尺寸关系的数值模拟

应用数值模拟计算方法对相变存储器单元RESET电流和加热电极尺寸关系进行了研究,建立了二维存储单元模型,模拟了电脉冲作用下不同电极尺寸相变存储单元的RESET过程,包括不同电极尺寸相变单元RESET过程的温度场分布和电阻-电流关系。模拟结果表明,RESET电流随着电极尺寸减小而急剧减小。

马蹄形电极盐浴炉的功率计算和电极尺寸设计

给出了马蹄形电极盐浴炉的功率计算和电极尺寸设计公式。实践表明。

多通道CO_2激光器工作条件与电极尺寸确定

给出多通道ＣＯ２激光器放电区热效应理论计算方法，并对多种稳定运行条件和电极尺寸下放电区热效应进行了计算。

微电极尺寸对双电层电容和电荷转移电阻的影响

微电极广泛应用于神经电信号检测,微电极的尺寸直接影响记录的神经电信号。建立了神经电信号检测的等效分析电路模型,基于GCS双电层理论以及PNP方程建立了微电极表面双电层分析模型。采用COMSOL仿真及微电极交流阻抗谱测试,分析了双电层电容与微电极尺寸的关系。分析结果表明:微电极表面积越大,电荷转移电阻越小,双电层电容越大;单位面积电容与微电极半径成反比例关系。

不同电极尺寸对光电二极管电流的影响

基于Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过仿真发现随着像元电极尺寸的减小,光电二极管反向电流也逐渐减小。针对这一现象从金属层对冶金结电势分布的影响和被吸收的光子数目Q两个角度进行了分析。金属层对半导体材料表面的电势分布具有调制作用,随着电极尺寸的减小,二极管的反向电流减小;随着像元电极尺寸的减小,被吸收的光子数目减小,导致光电二极管反向电流减小;以上两个方面都会引起光电二极管电流随着电极尺寸的减小而减小。

电火花加工模具浅六方之电极尺寸的确定

六角头螺栓的生产一般分为冷镦、热镦和机械切削加工等形式，在热镦六角头螺栓制做中又分为上模成型和下模成型。在上模成型时，为了保证六角螺栓的头部和杆部的同心，需要在下模上有一个浅的六方，尺寸大小等于六角螺栓的头部设计尺寸，与上模的六方尺寸相同，如图一所示，以便在调试上下模具过程中使上下模具的六方重叠对中。

大尺寸电极条件下大电流真空电弧特性的仿真

基于磁流体动力学模型对大尺寸电极下大电流真空电弧特性进行了仿真研究,分析了电弧电流和纵向磁场对大电流真空电弧特性的影响。仿真结果表明,随着电弧电流的增加,离子数密度、轴向电流密度、等离子体压力以及电子温度在量值上都会增大,而等离子体速度则会减小,各参数的分布越来越不均匀,弧柱收缩加强,当电流达到60kA时,阴极侧也出现电流的收缩;纵向磁场越强,等离子体速度就越大,而其他等离子体参数在量值上会减小,各参数的分布变得越均匀,纵磁的增强也可以使得阴极侧电流集聚得到抑制。最后,对实际纵向磁场分布以及大尺寸电极下真空电弧特性仿真结果与实际的电弧照片进行了对比,发现二者具有一致性。真空电弧的磁流体动力学模型可以为真空发电机出口断路器的研制提供理论借鉴。

电极几何尺寸误差对纳米时栅位移传感器测量精度的影响及其抑制方法

在纳米时栅传感器的制造过程中,由加工工艺引入的制造误差主要表现为电极几何尺寸误差。通过运用分段面积积分方法进行数学建模,详细地分析了电极几何尺寸误差对测量精度的影响,并揭示了采用多个感应电极进行信号拾取会具有一种平均效应,能够有效地匀化由电极几何尺寸误差随机变化所引入的测量误差。采用制造精度在1μm级的微纳加工工艺和制造精度在10μm级的印制电路板(PCB)工艺分别制作了两套量程为200 mm的传感器样机,并进行了精度对比实验。实验结果表明,由于平均效应的作用,PCB工艺制作的样机经过简单的线性补偿后,在满量程内取得了±250 nm的测量精度,接近微纳加工工艺制作的样机的测量精度。实验结果验证了多个感应电极平均效应的有效性。

特高压换流站大尺寸典型电极起晕特性的仿真与试验

为确保特高压换流站均压屏蔽装置设计合理可靠,提出用于一种分析复杂电场环境下大尺寸典型电极起晕特性的三维仿真计算方法,并开展大尺寸球、环电极电晕试验进行试验验证。试验结果表明,所提出的计算方法能够有效计算特高压换流站大尺寸典型电极表面起晕电场强度,预测值与试验值的相对误差范围在-2.6%~3.4%之间。该文分析并验证了均压环等效半径经验公式,获得该公式适用的均压环管径与环径范围。研究成果可为大尺寸电极起晕电场强度预测、换流站均压屏蔽金具设计提供参考和依据。

有限尺寸平行电极的边缘电场效应

电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本文研究了有限尺寸平行电极的电场分布,得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式,并分析了边缘电场效应,在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对的间隔距离。最后以单晶1×4光开关为例给出了当电极板长度为5mm、宽度为2mm、电极板间距为2mm时,离开电极板边缘3mm处的电场强度就已经降到电极板中心处的5%左右,引起的信道串扰约为0.25%,可忽略不计。

雷电冲击下SF_6气体放电击穿电压分散性的实验研究

一般应用升降法进行冲击下SF_6气体放电击穿特性实验时,要求击穿电压的分散性小于3%,以保证测得数据的可靠性。但是在实验过程中发现,SF_6气体相对于其他气体而言,击穿电压的分散性普遍偏大,一些情况下甚至超过了5%,而国内外针对SF_6气体放电击穿电压的分散性仍缺乏系统的研究。为此,在正、负标准雷电冲击(LI)作用下,实验研究了SF_6气体放电击穿电压的分散性随电极尺寸、气压和间隙距离的变化规律。结果表明:当间隙距离d=33 mm,电极曲率半径r=40、15、8 mm时击穿电压的分散性随气压增长而均呈现减小趋势;正LI下击穿电压的分散性随电场不均匀系数的增大而呈现先下降后上升的"U"曲线趋势,负LI下击穿电压的分散性随电场不均匀系数的增大而呈现先上升后下降的倒"U"曲线趋势;当电极曲率半径r=8 mm,间隙距离d=7、15、33 mm时击穿电压的分散性随着气压的增长而均呈现下降趋势。由此可得结论:正、负LI下SF_6气体放电击穿电压的分散性随着间隙距离的增加而均呈现线性增大的趋势。

AT切石英晶体频率力敏特性的实验研究

研究了石英晶体谐振器的力敏特征及晶体的活力与晶片的外形结构、电极尺寸、激励电平、振动模式的关系。实验表明,沿厚度方向剪切振动的AT切石英晶体谐振器的频率力敏特性与激励电平及电极大小无关,泛音振动下的频率力敏特性的增加与泛音次数的增加不成严格的倍数关系,晶体的活力与晶体外形、谐振频率及受力无关。

生物模板材料表面的层层组装与功能化：制备、表征与电化学传感

自1991年Decher等正式报道层层组装以来，它己成为一种通用、方便的功能化复合膜制备方法。将基底材料依次浸入到各组分溶液中，聚电解质、杂多酸、纳米材料、蛋白质以及DNA等物质可以通过分子间的各种相互作用精确而有序地组合到一起，形成具有独特功能和性质的修饰膜，在表面处理、新型光学器件、生物装置以及电化学传感器的研制中发挥着重要的作用。目前，层层组装在电化学传感器中的应用几乎都是在商品化电极上进行的，受电极尺寸及形状的限制，所构建的电化学传感器实际应用前景有限。

半超结抑制RC-TIGBT Snapback效应机理与仿真

首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究。通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度与N+短路区宽度等关键参数对Snapback效应的影响。结果表明,回退电压点随着Ydrift的减小而减小,且与Ydrift呈线性关系。对于底部集电极尺寸而言,回退电压点与P-集电区宽度有关,与N+短路区宽度基本无关。基于仿真结果,给出半超结RC-TIGBT的等效电路,并详细分析了半超结技术能抑制Snapback效应的原因。最后,对半超结RC-TIGBT的结构参数进行设计,提出一种能减小Snapback效应的有效方法。

库尔勒香梨电学参数检测基础研究

以塔里木大学香梨园的香梨为材料,在不同夹持力和电极尺寸下,研究香梨电学特性并联等效电感、并联等效电容、品质因数、阻抗随夹持力和电极尺寸变化间的规律。结果发现,随着夹持力的增加,不同电极尺寸下测量获得的并联等效电感逐渐增大、增大幅度先大后小;并联等效电容、品质因数、阻抗均逐渐减小,减小幅度先大后小,各曲线变化情况大体一致。在不同电极尺寸下,随着夹持力的增大并联等效电感逐渐增大;并联等效电容、品质因数、阻抗逐渐减小,各曲线变化情况大体一致。综合分析:夹持力和电极尺寸的变化对香梨电学特性有一定的影响,而夹持力对电学特性的影响比较显著。研究结果可为库尔勒香梨电学特性的检测研究提供理论依据。