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单双线圈除颤电极临床效果的Meta分析 被引量:1
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作者 童琳 蔡琳 +1 位作者 邓晓奇 李锦 《临床和实验医学杂志》 2016年第13期1273-1278,共6页
目的分析单线圈和双线圈除颤电极临床疗效的区别。方法从Cochrane图书馆、Medline、Embase、CBM、VIP,CNKI数据库收集与所有与单线圈和双线圈除颤电极临床效果比较有关的文献,由两位评价者按照相关限定条件进行筛选,筛选出符合纳入标准... 目的分析单线圈和双线圈除颤电极临床疗效的区别。方法从Cochrane图书馆、Medline、Embase、CBM、VIP,CNKI数据库收集与所有与单线圈和双线圈除颤电极临床效果比较有关的文献,由两位评价者按照相关限定条件进行筛选,筛选出符合纳入标准的文献,采用RevM an5.3进行Meta分析。结果共有13项临床研究6 273例患者纳入分析,其中有6项是随机对照试验,其余为非随机对照试验。阈值测试结果提示单线圈组除颤阈值高于双线圈组(95%CI 0.2~1.29;P=0.007)且单线圈组高除颤阈值发生率高于双线圈组(95%CI 1.29~5.08;P=0.007),单、双线圈组室速/室颤时心律转复除颤器(ICD)一次除颤成功率没有显著性差异(95%CI 0.96~1.05;P=0.81),单线圈组总病死率略高于双线圈组,但是差异不显著(95%CI 0.75~1.26;P=0.85),单、双线圈组电极故障率相比无显著性差异(95%CI 0.48~18.44;P=0.24)。结论单线圈除颤电极在阈值测试中的除颤阈值高于双线圈电极,同时单线圈除颤电极高阈值的发生比率高于双线圈组,两者在室速/室颤时一次除颤成功率、总病死率、电极故障率方面没有显著性差异。但是由于本研究纳入的研究有6项为非随机对照试验,仍需一定量的、高质量的随机对照试验进一步验证。 展开更多
关键词 除颤 线圈除颤电极 线圈除颤电极 META分析
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单、双线圈除颤电极临床效果的比较
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作者 童琳 蔡琳 《心血管病学进展》 CAS 2016年第6期660-663,共4页
除颤电极是植入式心律转复除颤器的重要组成部分,双线圈除颤电极的使用一直远远多于单线圈除颤电极。然而随着植入式心律转复除颤器临床应用时间的延长,术后电极相关并发症以及电极拔除风险的问题,使人们开始重新审视除颤电极的选择问... 除颤电极是植入式心律转复除颤器的重要组成部分,双线圈除颤电极的使用一直远远多于单线圈除颤电极。然而随着植入式心律转复除颤器临床应用时间的延长,术后电极相关并发症以及电极拔除风险的问题,使人们开始重新审视除颤电极的选择问题。这里将单、双线圈除颤电极在除颤阈值、全因死亡率、自发室性心动过速和心室颤动一次除颤成功率、电极故障率、电极拔除方面的研究做一综述。 展开更多
关键词 线圈除颤电极 线圈除颤电极 心律转复除颤器 心脏再同步化治疗除颤器
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静电喷雾雾滴荷电特性的试验研究 被引量:4
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作者 吴春笃 王黎光 杨超珍 《农机化研究》 北大核心 2011年第10期147-149,174,共4页
提出了0~8000V电压下的静电喷雾技术,荷电过程中通过改变静电极环的结构及调节荷电电压得到不同条件时雾滴的荷质比。描绘出雾滴核质比随电压、电极环导线直径和压力的变化情况,对不同条件下的荷质比进行理论分析和变化的趋势对比,得... 提出了0~8000V电压下的静电喷雾技术,荷电过程中通过改变静电极环的结构及调节荷电电压得到不同条件时雾滴的荷质比。描绘出雾滴核质比随电压、电极环导线直径和压力的变化情况,对不同条件下的荷质比进行理论分析和变化的趋势对比,得出雾滴核质比在不同条件下的变化情况,从而为进一步开发荷电喷雾机具提供参考依据。 展开更多
关键词 静电喷雾 雾滴荷电量 荷质比 电极线圈
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静电喷雾雾滴荷电特性的试验与探索 被引量:1
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作者 王黎光 刘芹 冯俊琨 《南方农机》 2020年第17期13-15,共3页
本文设计了在0~8kV电压下的静电喷雾试验,通过改变静电极环的结构,试验中得到不同电压、不同压力、不同静电环直径时雾滴的荷质比。绘出雾滴核质比随电压、电极环直径和压力的变化情况,对不同条件下的荷质比进行理论分析和变化趋势对比... 本文设计了在0~8kV电压下的静电喷雾试验,通过改变静电极环的结构,试验中得到不同电压、不同压力、不同静电环直径时雾滴的荷质比。绘出雾滴核质比随电压、电极环直径和压力的变化情况,对不同条件下的荷质比进行理论分析和变化趋势对比。得出雾滴核质比的不同条件下的变化情况,对进一步开发荷电喷雾机具提供参考依据。 展开更多
关键词 高压静电喷雾 雾滴荷电量 荷质比 电极线圈
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纵向磁场真空开关管
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作者 胡滨 《旭光技术》 1994年第1期54-56,共3页
关键词 真空开关管 纵向磁场 线圈电极
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Active Field Canceling System in Next Generation Nano-Fab
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作者 Feng-Chang Chuang Yu-Lin Song +5 位作者 Chwen Yu Sen-Kuei Hsu Tzyh-Ghuang Ma Tzong-Lin Wu Ching-Yuan Yang Luh-Maan Chang 《Journal of Energy and Power Engineering》 2012年第7期1163-1169,共7页
ELF (extremely low frequency) magnetic fields from power-line current influence the yield of CMOS foundry. The poor yield happens because of ELF magnetic fields inducing directly the measurement or process equipment... ELF (extremely low frequency) magnetic fields from power-line current influence the yield of CMOS foundry. The poor yield happens because of ELF magnetic fields inducing directly the measurement or process equipment for cutting-edge chips below 28 nm process. The equipments of electron microscopes, including SEM (scanning electron microscope), TEM (transmission electron microscopy), STEM (scanning transmission electron microscopy) and EBLS (electron beam lithography system) are very susceptible to ELF magnetic fields emanating from various electrical power sources outside of the building and within next generation CMOS foundry recommends a maximum of 0.3 mG. The active canceling method uses active coils with current sensing field via sensor and inducing man-made electromagnetic field to reduce the stray magnetic field. Unfortunately, the conventional system takes more time to products field because of parasitical capacitance and resistance in long coil. The longer canceling coil the system construct, the more time it takes. Besides, canceling system should spend more time on calibrating non-linear current amplifier through software design. This research designs simpler anti-electro-magnetic system instead of typical frame and develops one turn canceling coil structure to reduce delaying time. Several parallel cells generate field up to 23.81 mG controlled by MPU (micro processor unit). This system decreases the power-line inducing filed below 0.3 mG. 展开更多
关键词 Extremely low frequency power-line current CMOS foundry passive shielding actives shielding hybrid shielding.
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