干式直流电容器全链条国产化关键技术探讨

高性能薄膜电容器广泛应用于新能源交通工具、输变电工程、医疗救治器械和电磁脉冲武器等领域,其中干式直流电容器更是柔性直流输电的重要装备。目前薄膜电容器生产过程中从原料到重要装备完全依靠国外技术,高端薄膜电容器超净聚丙烯(PP)原料完全依赖从国外进口,加工双向拉伸BOPP薄膜和电极蒸镀等大型生产设备都是从发达国家购买,严重制约了我国薄膜电容器技术研发和工程应用,特别是在当前的复杂国际环境下带来诸多隐患,一旦国外禁止向我国出售相关原料和设备,将严重影响我国高科技领域的发展。由此,在当前复杂的国际环境和我国政府提出的“双碳”目标背景下,必须下大力气着力解决影响薄膜电容器领域发展的诸多关键因素,依靠自主技术服务于新能源系统建设。在国家重点研发计划“干式直流电容器用电介质薄膜材料”重点专项支持下,本文从薄膜电容器用电工级超净PP原料入手,探讨通过相关领域科研院所与相关企业深度合作,进行电工级超净PP原料技术攻关,解决研发验证过程中存在的问题,从全局观出发力图解决我国干式直流电容器工程应用面临的重大问题,形成我国干式直流电容器全链条国产化关键技术。

MAPbI3单晶光电探测器的制备及应用

采用逆温法生长得到了MAPbI3单晶,经过粗磨抛光处理后,作为靶材在其表面蒸镀了Au电极,制备了Au/MAPbI3/Au光电探测器,并对其光电性能进行了详细研究。在不同光照条件下的I-V性能测试结果表明,相同的偏压下MAPbI3单晶光电探测器均具有较好的光敏感性和探测性能。通过α能谱和飞行时间(TOF)技术研究并讨论了该探测器对α粒子的探测性能,并最终得到探测器中电子和空穴的电子迁移率和寿命乘积分别为5.6×10^-4和3.3×10^-4 cm^2/V,电子和空穴的迁移率分别为24.6和59.7 cm^2/(V·s)。实验结果表明,该探测器的探测能力与室温核辐射探测材料CdZnTe的相当,证实了逆温法生长的MAPbI3单晶具有优异的电荷传输性能,在室温辐射检测领域有巨大的潜力。