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0.5MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响
1
作者
王荣
郭增良
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期764-767,共4页
用注量为 1.2× 10 12 ~ 1.2× 10 13 cm-2 的低能量 (0 .5 Me V)质子辐照空间实用 Ga As/ Ge太阳电池 ,电池被覆盖有 4种情况 :10 0 %玻璃覆盖 ,5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,10 0 %无玻璃覆盖 .研究表...
用注量为 1.2× 10 12 ~ 1.2× 10 13 cm-2 的低能量 (0 .5 Me V)质子辐照空间实用 Ga As/ Ge太阳电池 ,电池被覆盖有 4种情况 :10 0 %玻璃覆盖 ,5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,10 0 %无玻璃覆盖 .研究表明 ,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大 ,但性能参数 Isc和 Uoc衰降程度 4种覆盖情况是不同的 :10 0 %覆盖 ,电池性能衰降最弱 ;5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,性能衰降较弱 ;5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,衰降较强 ;10 0 %无覆盖性能衰降最大 .研究还表明 ,相同的质子辐照注量引起的 Isc衰降变化比 Uoc变化显著 ;未覆盖部分仅占 5 % ,也会引起电池性能明显衰降 .
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关键词
0.5MeV质子
未完全覆盖
GAAS/GE太阳
电池
质子辐照
玻璃覆盖
电池性能衰降
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职称材料
题名
0.5MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响
1
作者
王荣
郭增良
机构
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
信息产业部第
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期764-767,共4页
基金
教育部重点实验室基金资助项目
国家"八六三"计划资助项目
北京市科学技术研究院萌芽计划基金资助项目
文摘
用注量为 1.2× 10 12 ~ 1.2× 10 13 cm-2 的低能量 (0 .5 Me V)质子辐照空间实用 Ga As/ Ge太阳电池 ,电池被覆盖有 4种情况 :10 0 %玻璃覆盖 ,5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,10 0 %无玻璃覆盖 .研究表明 ,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大 ,但性能参数 Isc和 Uoc衰降程度 4种覆盖情况是不同的 :10 0 %覆盖 ,电池性能衰降最弱 ;5 %部分无玻璃覆盖有封胶 ,性能衰降较弱 ;5 %部分无玻璃覆盖无封胶 ,衰降较强 ;10 0 %无覆盖性能衰降最大 .研究还表明 ,相同的质子辐照注量引起的 Isc衰降变化比 Uoc变化显著 ;未覆盖部分仅占 5 % ,也会引起电池性能明显衰降 .
关键词
0.5MeV质子
未完全覆盖
GAAS/GE太阳
电池
质子辐照
玻璃覆盖
电池性能衰降
Keywords
GaAs/Ge solar cell
proton irradiation
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.5MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响
王荣
郭增良
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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