电注入发光聚合物的能带工程

聚合物发光二极管以其独有的优点在显示方面显现了光明的前景，关于它的研究也很快成为国际上竞争激烈的热点。目前，聚合物发光二极管的各项性能距实际应用的要求还有相当一段距离。在提高聚合物发光二极管的各项性能的进程中，电注入发光聚合物的能带工程将起着积极的作用。本文简要地介绍了电注入发光聚合物的能带的形成、表征以及能带工程在聚合物发光器件中的应用。

SiGe／Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光．阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率．讨论了这种结构的光学和电学特性．

垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理

研究了不同垒厚对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理。实验发现,当GaN垒层的厚度从6 nm增大到24 nm时,垒厚的样品发光强度更强,而且当注入电流增加时,适当增加垒厚,可以更显著增加发光强度。进一步结合发光峰位和光谱宽度的研究表明,由于应力和极化效应的存在,当垒层厚度在6~24nm范围内时,适当增加垒层厚度不仅会使得能带的倾斜加剧,减少电子泄露,而且也会增加InGaN阱层的局域态深度,从而改善量子阱的发光性能。

超高亮度LED在太阳能城市灯光系统中的应用

介绍超高亮度LED的发展概况,包括超高亮度LED的研究开发、产业和市场的发展现状和水平;在绿色照明技术研究开发方面,介绍国内外超高亮度LED在研究开发中所取得最好水平以及LED在太阳能城市灯光系统中的应用,并对其未来发展趋势作出初步估计。