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基于二次电流下降的电流互感器饱和判别方法 被引量:18
1
作者 陈丽艳 何奔腾 +1 位作者 钱国明 陈福锋 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2008年第14期59-63,共5页
基于电流互感器饱和后二次电流突然下降的特点,提出了一种新的电流互感器饱和判别方法——电流下降法。EMTP仿真结果表明,区外故障时该方法能可靠闭锁电流差动保护,区内故障时则能快速开放差动保护,且解决了电流互感器饱和情况下同名相... 基于电流互感器饱和后二次电流突然下降的特点,提出了一种新的电流互感器饱和判别方法——电流下降法。EMTP仿真结果表明,区外故障时该方法能可靠闭锁电流差动保护,区内故障时则能快速开放差动保护,且解决了电流互感器饱和情况下同名相转换性故障差动保护的开放问题。该方法性能优越,特征清晰,判据逻辑简单。 展开更多
关键词 电流互感器 饱和判别 电流下降 瞬时值差动
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对铅酸蓄电池恒流-恒压充电过程中电流下降时刻的认识 被引量:4
2
作者 王映林 李蓓 《蓄电池》 北大核心 2008年第2期73-75,共3页
针对电动自行车用蓄电池的特点,使用阀控式铅酸蓄电池,采用恒流恒压充电工作制度,通过调整初始充电条件,分析蓄电池充电过程中初始充电电流、初始电解液温度、初始电解液密度与电流下降时刻的关系,认识到初始充电电流、初始电解液温度... 针对电动自行车用蓄电池的特点,使用阀控式铅酸蓄电池,采用恒流恒压充电工作制度,通过调整初始充电条件,分析蓄电池充电过程中初始充电电流、初始电解液温度、初始电解液密度与电流下降时刻的关系,认识到初始充电电流、初始电解液温度、初始电解液密度的大小对铅酸蓄电池恒流充电时间的长短有很大的影响,从而通过选择合适的初始充电条件,以提高充电接受率。 展开更多
关键词 铅酸蓄电池 充电 电流下降时刻
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多晶硅薄膜晶体管中关状态引起的关状态电流下降
3
《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期47-47,共1页
关键词 多晶硅薄膜 晶体管 关状态 测量 关状态电流下降
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一种低轨卫星太阳电池阵电流异常下降检测方法
4
作者 孙永进 陈曦 王少林 《航天器工程》 CSCD 北大核心 2024年第3期48-53,共6页
为了及时、准确诊断低轨卫星太阳电池阵电流异常下降问题,提出一种太阳电池阵电流异常下降检测方法,以及时、有效识别并发现故障。首先,分析影响太阳电池阵电流的有效太阳光强、温度、任务和数据质量等因素。然后,把有效太阳光强、温度... 为了及时、准确诊断低轨卫星太阳电池阵电流异常下降问题,提出一种太阳电池阵电流异常下降检测方法,以及时、有效识别并发现故障。首先,分析影响太阳电池阵电流的有效太阳光强、温度、任务和数据质量等因素。然后,把有效太阳光强、温度环境的影响作为误差项处理,对任务和数据质量等影响因素通过滤波或数据修复的方式进行处理。最后,通过比较每天太阳电池阵电流最大值平均值的方式识别电流异常下降。利用在轨卫星实际遥测数据对方法进行验证,结果表明:检测方法诊断精度高于1.5%,能及时、准确实现低轨卫星太阳电池阵电流异常下降故障检测。 展开更多
关键词 低轨卫星 太阳电池阵 电流异常下降 早期预警
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关于离子膜装置电流效率下降幅度的优化研究
5
作者 李德胜 《石河子科技》 2015年第1期44-46,共3页
离子膜装置电流效率下降将会受到多重因素的影响,既有设备因素,也有人为因素。该问题将会给产量和质量带来双重影响,同时还会带来耗电增加以及离子膜服役期限大幅缩短等问题,所以,探究相应的改善措施便显得尤为重要了。鉴于此,围绕离子... 离子膜装置电流效率下降将会受到多重因素的影响,既有设备因素,也有人为因素。该问题将会给产量和质量带来双重影响,同时还会带来耗电增加以及离子膜服役期限大幅缩短等问题,所以,探究相应的改善措施便显得尤为重要了。鉴于此,围绕离子膜装置电流效率下降幅度的优化问题进行相关研究,首先阐述了离子膜装置电流效率下降幅度优化研究的意义,其次介绍了离子膜装置电流效率的计算,再次讨论了离子膜装置电流效率下降影响因素及优化,以期为业内人士提供一些有益参考。 展开更多
关键词 离子膜装置 电流效率下降 影响因素 优化措施
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离子膜装置电流效率下降幅度的改善
6
作者 卢小燕 《江西化工》 2013年第3期117-121,共5页
浅析了70kt/a离子膜装置存在的问题、电流效率下降快速的原因,通过优化盐水质量,严格工艺管理和工艺操作等措施改善离子膜电流效率下降幅度。
关键词 离子膜 电流效率下降 盐水杂质含量 停车次数
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直流真空断路器的新型大电流强迫换流分断方法 被引量:1
7
作者 彭振东 马子文 +3 位作者 沙新乐 李博 邹顺 李杰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期3666-3673,共8页
为提升直流真空断路器的大电流分断可靠性,在典型强迫换流技术的基础上,提出了一种新型的换流分断方案。利用一辅助开关的导通分流作用,通过减小有效换流电流,大幅降低真空断路器熄弧前附近的电流下降率;并在熄弧后,通过该辅助开关的导... 为提升直流真空断路器的大电流分断可靠性,在典型强迫换流技术的基础上,提出了一种新型的换流分断方案。利用一辅助开关的导通分流作用,通过减小有效换流电流,大幅降低真空断路器熄弧前附近的电流下降率;并在熄弧后,通过该辅助开关的导通电压钳位作用,使真空断路器的暂态恢复电压产生一段低电压区间,从而改善真空间隙的弧后介质恢复特性,实现中、高压直流大电流的可靠分断。同时详细分析了新型换流分断方案的换流过程及其主要影响因素,获得了换流电路杂散电感及辅助开关导通时刻等参数对换流性能的影响规律。最后,开展了快速真空断路器的13 kA换流分断试验,试验过程中熄弧前的电流下降率被有效降低为约55 A/μs、总共持续了约50μs;且在熄弧后约130μs时间内,暂态恢复电压被限制至未超过600 V。试验结果验证了该新型方案的实用性和有效性。 展开更多
关键词 直流真空断路器 强迫换流 有效换流电流 介质恢复 电弧电流下降 弧后暂态恢复电压
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基于电参数的IGBT开关瞬态过程耦合关系分析 被引量:1
8
作者 李雨泽 张秀敏 +3 位作者 袁文迁 宋鹏 季一润 焦超群 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1252-1263,共12页
IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首... IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首先,分析了IGBT内寄生PIN结构、集射极电压对栅极控制模型的影响。其次,基于栅极控制模型的分析,提出集电极电流的拟合次数应考虑电流变化过程持续时间及计算场景,二次及以下多项式拟合可近似描述集电极电流波形并开展功率损耗分析,但不适于电流变化率和感应电压分析。再次,比较了开通和关断过程计算所得回路寄生电感值的差异,提出了不同过程计算回路寄生电感的适用范围及FWD封装寄生电感的计算方法。最后,分析了瞬态过程栅极电压和集射极电压的耦合关系,提出了通过栅极电压估计集射极电压的状态监测方法并进行了实验验证。 展开更多
关键词 栅极电压 集射极电压 电流上升过程 电流下降过程 寄生电感 耦合关系
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可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用 被引量:5
9
作者 江泳 杜峰 +1 位作者 崔光照 胡智宏 《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期44-45,共2页
对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.
关键词 可控硅 误导通 门极关断电流下降 门极关断电压变化率 关断参数
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基于载流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驱动器有源箝位功能分析 被引量:1
10
作者 陈玉香 罗皓泽 +1 位作者 李武华 何湘宁 《电源学报》 CSCD 2016年第6期136-142,共7页
针对Trench gate/Field-stop IGBT结构特有的关断过程中集电极电流下降率不可控问题,引入了载流子抽取模型来模拟器件关断过程中的集电极电流下降阶段器件内部载流子的动态行为特性,并以此为基础分析了驱动器为适应Trench gate/Field-St... 针对Trench gate/Field-stop IGBT结构特有的关断过程中集电极电流下降率不可控问题,引入了载流子抽取模型来模拟器件关断过程中的集电极电流下降阶段器件内部载流子的动态行为特性,并以此为基础分析了驱动器为适应Trench gate/Field-Stop IGBT结构这种关断特性而引入的有源箝位功能的作用机理,验证了载流子抽取模型在器件级与电路级交互作用分析中的实用性,为后续实现器件与电路的最佳匹配奠定了基础。 展开更多
关键词 Trench gate/Field-Stop IGBT 集电极电流下降 不可控性 载流子抽取模型 有源箝位功能
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直流真空断路器弧后介质恢复特性影响因素分析 被引量:2
11
作者 刘晓明 史红菲 +4 位作者 陈海 姜文涛 周永捷 邹积岩 田俊 《工程科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2023年第3期40-47,共8页
直流真空断路器采用人工过零的方式实现故障开断,是当前直流系统兼具经济性与可靠性的控保方式之一,其弧后介质恢复特性是判定故障开断成功与否的关键条件。为探究直流真空断路器电磁与机电参数耦合作用下介质恢复特性的影响因素,本文... 直流真空断路器采用人工过零的方式实现故障开断,是当前直流系统兼具经济性与可靠性的控保方式之一,其弧后介质恢复特性是判定故障开断成功与否的关键条件。为探究直流真空断路器电磁与机电参数耦合作用下介质恢复特性的影响因素,本文基于连续过渡模型、能量守恒定律和电荷守恒定律,建立了零区带电粒子数密度计算模型,研究了触头型面参数和零前电流下降率影响下的零区带电粒子数密度分布;通过搭建12 kV直流真空断路器配永磁斥力机构运动特性测试平台,实验测得机构位移–时间特性曲线,研究了短路开断电流、零前电流下降率和换流投入时刻影响下的零区极间距分布。在此基础上,基于漂移扩散方程、Maxwell–Stefan方程和泊松方程,建立了弧后鞘层发展模型,以求得电磁与机电参数影响下的电场强度最大值;并与零区金属蒸气压和短路开断电流影响下的临界击穿电场强度对比分析,进而评估不同换流投入时刻、零前电流下降率、暂态电压上升率、触头直径下的弧后介质恢复强度。此外,求得了直流真空断路器可靠开断时零前电流下降率和换流投入时刻的极限安全域,以及电磁与机电参数耦合作用下的最小安全间隙与开断电流极限,为设计满足可靠开断要求的直流真空断路器灭弧系统结构参数与换流参数群组提供解决方案。 展开更多
关键词 直流真空断路器 换流回路 电流下降 介质恢复
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城轨直流牵引供电系统短路试验 被引量:6
12
作者 韩志杰 《都市快轨交通》 北大核心 2013年第1期113-115,共3页
阐述直流牵引供电系统短路试验的目的和意义。结合实际工程直流牵引供电系统短路试验,介绍短路点的选取、对地短路短接方式等重要的试验程序和试验方法。对实际短路情况的数据结果进行分析,为直流牵引供电系统短路试验的进一步研究提供... 阐述直流牵引供电系统短路试验的目的和意义。结合实际工程直流牵引供电系统短路试验,介绍短路点的选取、对地短路短接方式等重要的试验程序和试验方法。对实际短路情况的数据结果进行分析,为直流牵引供电系统短路试验的进一步研究提供参考。 展开更多
关键词 城市轨道交通 牵引变电所 短路试验 短路电流 电流上升率 电流下降
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IGBT工作结温的状态识别 被引量:7
13
作者 刘希真 周文俊 +1 位作者 尤佳 张立 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期243-246,共4页
研究了绝缘门极晶体管 (IGBT)关断时阳极电流最大下降率与结温的关系 ,在此基础上提出了利用阳极电流最大下降率识别 IGBT在线结温的方法 .此外 ,分析了阳极电流最大下降率的产生时刻及其与 IGBT过流状况的关系 ,并定义了参数Δt作为判... 研究了绝缘门极晶体管 (IGBT)关断时阳极电流最大下降率与结温的关系 ,在此基础上提出了利用阳极电流最大下降率识别 IGBT在线结温的方法 .此外 ,分析了阳极电流最大下降率的产生时刻及其与 IGBT过流状况的关系 ,并定义了参数Δt作为判别 IGBT过流状况的特征量 . 展开更多
关键词 绝缘门极晶体管 识别 结温 阳极电流最大下降
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轨道炮电枢电动力转捩形成机理与仿真分析 被引量:4
14
作者 王志恒 万敏 李小将 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期1090-1095,共6页
轨道炮电枢转捩引起轨道烧蚀和发射参数变化,是制约轨道炮性能提升的关键问题之一。分析了电流下降段轨道炮电枢电动力转捩形成机理,给出了电枢转捩判断模型和电磁场参数计算模型,采用有限元软件ANSYS Workbench对电枢转捩形成过程进行... 轨道炮电枢转捩引起轨道烧蚀和发射参数变化,是制约轨道炮性能提升的关键问题之一。分析了电流下降段轨道炮电枢电动力转捩形成机理,给出了电枢转捩判断模型和电磁场参数计算模型,采用有限元软件ANSYS Workbench对电枢转捩形成过程进行了仿真分析,仿真了该过程中的电流、电磁力分布以及电磁力引起的电枢形变情况,分析了电流下降率对电枢转捩的影响。仿真分析结果表明:电流下降段电枢内部会感应出涡流,涡流可能引起电枢尾部区域电磁力改变方向,甚至电枢尾部形变,进而导致电枢转捩发生;电流下降率越大则电枢受到的反向电磁力越大,电枢转捩越容易发生。 展开更多
关键词 电磁轨道炮 电枢转捩 电流下降 电弧接触 滑动电接触
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MMC压接子模块动态特性测试及寄生参数分析 被引量:2
15
作者 袁文迁 胡应宏 +3 位作者 宋鹏 季一润 袁茜 槐青 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期999-1008,共10页
对4500 V/2000 A StakPak IGBT器件组成的半桥子模块开展了动态参数测试,测试电压和电流达到2700 V和2500 A,瞬态电流峰值接近3800 A。利用测试数据对动态过程电流变化影响因素进行了分析,发现关断电流下降过程主要受续流二极管(FWD)正... 对4500 V/2000 A StakPak IGBT器件组成的半桥子模块开展了动态参数测试,测试电压和电流达到2700 V和2500 A,瞬态电流峰值接近3800 A。利用测试数据对动态过程电流变化影响因素进行了分析,发现关断电流下降过程主要受续流二极管(FWD)正向特性影响,关断电流下降及关断电压过冲基本不受测试电压变化影响。但测试电压影响pnp晶体管放大倍数及开通过程电流波形。开通电流上升过程波形可近似采用二次函数与一次函数分段描述。子模块寄生电感计算值受选取时间段的影响,在开通电流上升过程初始阶段进行回路寄生电感计算误差相对较小,子模块回路寄生电感值约为90 nH。 展开更多
关键词 半桥子模块 动态特性 开关损耗 寄生电感 电流上升过程 电流下降过程
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双电极气体保护焊工艺与控制(二)
16
作者 李晓娜 《现代焊接》 2007年第12期31-33,共3页
7.3旁路电流具有较宽的调节范围在DE-GMAW中,通过旁路电流的自动调节将母材电流调节控制在一个理想数值范围。
关键词 旁路电流 电流下降 母材 双电极 电流 控制系统 闭环控制 工艺 理想数 试验
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光致激励的有机薄膜器件的电致发光特性 被引量:2
17
作者 干正宇 朱文清 +2 位作者 魏斌 张志林 蒋雪茵 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期877-881,共5页
为了研究有机电致发光器件(OLED)在高亮度下存在的电流下降现象,在不同强度的荧光激发下观察了单层和双层器件的电流密度(J-V)特性和电致(EL)光谱。在单层器件中发现,随着激发光的增强,发生了电流密度下降以及光谱蓝移现象,这是因为在... 为了研究有机电致发光器件(OLED)在高亮度下存在的电流下降现象,在不同强度的荧光激发下观察了单层和双层器件的电流密度(J-V)特性和电致(EL)光谱。在单层器件中发现,随着激发光的增强,发生了电流密度下降以及光谱蓝移现象,这是因为在低迁移率的有机物中,过剩的阴离子基对光子的强烈吸收,从而导致了载流子浓度的降低。在单层器件中插入4个不同厚度的空穴传输材料组成双层器件以平衡过剩的阴离子基,结果发现,随着厚度的增加电流密度下降和光谱蓝移的程度减少,当厚度超过50nm后,这种减少的程度变化不大。研究表明,插入适当厚度的空穴传输层能够抑制器件中的电流下降现象。 展开更多
关键词 有机电致发光器件(OLED) 电流下降 光致激励 光谱蓝移
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UV soaking for enhancing the photocurrent and response speed of Cs_(2)AgBiBr_(6)-based all-inorganic perovskite photodetectors
18
作者 Ye Yuan Genghua Yan +4 位作者 Zhuowei Li Bangqi Jiang Zongcun Liang Hong Jin Fan Wenjie Mai 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期442-450,共9页
The response speed of the reported Cs_(2)AgBiBr_(6)-based photodetectors exhibits a wide variation ranging from microseconds to nanoseconds,while the reason is still unclear.Apart from the conventional approaches such... The response speed of the reported Cs_(2)AgBiBr_(6)-based photodetectors exhibits a wide variation ranging from microseconds to nanoseconds,while the reason is still unclear.Apart from the conventional approaches such as reducing effective area,new regulating approaches for response speed improvement have rarely been reported.On the other hand,it is generally believed that ultraviolet(UV)light has negative impact on perovskite devices resulting in performance degradation.In this work,we demonstrated that the response speed of the photodetector with FTO/Cs_(2)AgBiBr_(6)/Au structure can be effectively regulated by utilizing UV light-soaking effect without reducing the device area.Particularly,the decay time is efficiently modulated from 30.1μs to 340 ns.In addition,the−3 dB bandwidth of the device is extended from 5 to 20 kHz.It is worth mentioning that the light current is remarkably boosted by 15 times instead of any attenuation.Furthermore,we prove the universality of UV soaking treatment on Cs_(2)AgBiBr_(6)-based photodetectors with other all-inorganic structures,i.e.,FTO/TiO_(2)/Cs_(2)AgBiBr_(6)/Au,FTO/Cs_(2)AgBiBr_(6)/TiO_(2)/Au and FTO/TiO_(2)/Cs_(2)AgBiBr_(6)/CuSCN/Au.Our results demonstrate a new method to improve the response speed and light current of Cs_(2)AgBiBr_(6)-based perovskite all-inorganic photodetectors. 展开更多
关键词 UV light all-inorganic perovskite photodetectors Cs_(2)AgBiBr_(6) PHOTOCURRENT response speed
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