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MOS场效应管的新的电流公式 被引量:1
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作者 汤庭鳌 王晓晖 郑大卫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期686-693,共8页
本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代MOS场效应管的电流-电压特性,避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设.所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域.计及了纵向电场引起的载... 本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代MOS场效应管的电流-电压特性,避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设.所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域.计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应,得到了适用于短沟道MOS管的电流公式. 展开更多
关键词 场效应晶体管 MOS 电流公式
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MOS场效应管的新的电流公式
2
作者 汤庭鳌 Ara.,CAP 《上海半导体》 1991年第4期1-6,共6页
关键词 MOS 场效应晶体管 电流公式 晶体管
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关于直线电流磁场公式两种表达式的分析
3
作者 敖红 《辽宁高职学报》 2000年第5期88-89,共2页
对直线电流磁场公式的两种表达式中的角度给出补充说明和规定。并按上述规定对一段直线电流邻近空间场点的不同位置对应的8种情况进行了角度对比 .最后通过实例对两种表达式的应用进行了详细比较。
关键词 直线电流磁场公式 正弦表达式 余弦表达式 表达式中的角度
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并列运行的两台自动跟踪消弧线圈对地电容电流计算公式的改进 被引量:1
4
作者 曲双燕 茅建华 《上海电力学院学报》 CAS 2006年第2期129-132,共4页
分析了主流的调匝式和可控硅调谐式自动跟踪类型消弧线圈测量系统电容电流的原理,结合同一配电网两台自动跟踪消弧线圈运行时电网等效电路模型的理论推导,提出了在不同情况下装置测量电网对地容抗的修正计算公式,在两台自动调谐消弧线... 分析了主流的调匝式和可控硅调谐式自动跟踪类型消弧线圈测量系统电容电流的原理,结合同一配电网两台自动跟踪消弧线圈运行时电网等效电路模型的理论推导,提出了在不同情况下装置测量电网对地容抗的修正计算公式,在两台自动调谐消弧线圈运行于同一配电网情况下,推荐两台消弧线圈的选型方案. 展开更多
关键词 消弧线圈 电网 电容电流计算公式
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高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应 被引量:1
5
作者 戴明志 刘韶华 +5 位作者 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期757-764,共8页
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件... 基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n+漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n+漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应. 展开更多
关键词 衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入
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电流分布一定时线天线的加载
6
作者 孙丽贤 梁新福 《大连水产学院学报》 CSCD 1999年第4期53-56,共4页
导出了当天线上电流分布一定时圆柱线天线的加载公式。使用该加载公式, 可以得到任意电流分布时天线的加载规律。与Wu 、Kingr 提出的加载公式比较, 该加载公式更为精确。该公式的确定对加载天线的分析及设计有着十分重要的意义。
关键词 线天线 加载 行波电流 电流分布公式
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正确理解电流强度公式——正负离子导电电流两倍的讨论 被引量:1
7
作者 韩静波 《物理教学》 2014年第2期19-21,共3页
物理公式的是一种高度抽象、简约的数学表达,公式的简约、普适是其魅力所在,需要理解公式在各种情境下的适用情况,减少结论性的记忆。基于这样的认识再探正负离子导电电流两倍的成因,追求对电流公式的正确、深刻的理解。
关键词 离子导电 电流公式 位移电流
原文传递
PN结在大注入条件下的数学分析
8
作者 向导 《科技资讯》 2012年第12期214-214,216,共2页
本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结... 本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。 展开更多
关键词 PN结 大注入 半导体物理 复合理论 电流公式
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PN结在大注入条件下的数学分析
9
作者 向导 《科技资讯》 2012年第11期67-68,216,共2页
本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结... 本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。 展开更多
关键词 PN结 大注入 半导体物理 复合理论 电流公式
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非平衡格林函数在电子输运问题中的应用
10
作者 刘志勇 刘燕勇 董彬 《江西科学》 2007年第6期730-732,共3页
简单讨论了非平衡格林函数理论,并利用非平衡格林函数理论推导了电子相互作用体系的电流公式,获得了一些一般性的结果。
关键词 非平衡格林函数 电流公式 电子输运 态密度函数
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Heat Transfer Analysis on Wire Icing and the Current Preventing from Icing 被引量:2
11
作者 刘和云 周迪 +1 位作者 黄素逸 华中科技大学 《Electricity》 2001年第1期28-30,共3页
This study concerns the heat transfer processes during ice accretion on wires. The steady state heat balance equation assumed to describe the thermodynamics at the surface of a current heated wire subjected to icing i... This study concerns the heat transfer processes during ice accretion on wires. The steady state heat balance equation assumed to describe the thermodynamics at the surface of a current heated wire subjected to icing is obtained by analyzing and computing each terms of heat flux. The surface temperature of wire is derived from the heat balance equation, which gives out a proposed estimation of the current intensity to prevent the wire icing 展开更多
关键词 ICING heat balance equation CURRENT prevent icing
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例谈变压器的有关问题
12
作者 于正荣 《中学生数理化(高二数学、高考数学)》 2004年第5期41-42,共2页
关键词 变压器问题 交流电 电流公式 高中 物理 解法
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Pneumatic resistance network analysis and dimension optimization of high pressure electronic pneumatic pressure reducing valve 被引量:2
13
作者 徐志鹏 王宣银 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2011年第3期666-671,共6页
The structure and working principle of a self-deigned high pressure electronic pneumatic pressure reducing valve (EPPRV) with slide pilot are introduced.The resistance value formulas and the relationship between the r... The structure and working principle of a self-deigned high pressure electronic pneumatic pressure reducing valve (EPPRV) with slide pilot are introduced.The resistance value formulas and the relationship between the resistance and pressure of three typical pneumatic resistances are obtained.Then,the method of static characteristics analysis only considering pneumatic resistances is proposed,the resistance network from gas supply to load is built up,and the mathematical model is derived from the flow rate formulas and flow conservation equations,with the compressibility of high pressure gas and temperature drop during the expansion considered in the model.Finally,the pilot spool displacement of 1.5 mm at an output pressure of 15MPa and the enlarging operating stroke of the pilot spool are taken as optimization targets,and the optimization is carried out based on genetic algorithm and the model mentioned above.The results show that the static characteristics of the EPPRV are significantly improved.The idea of static characteristics analysis and optimization based on pneumatic resistance network is valuable for the design of pneumatic components or system. 展开更多
关键词 high pressure pressure reducing valve pneumatic resistance dimension optimization genetic algorithm
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