InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器量子效率计算研究

首先分析了量子效率计算的相关理论,然后分析利用红外中波In As/Ga SbⅡ类超晶格材料进行光伏探测器研制,在对器件进行电学性能测试及光谱响应测试基础上,利用理论分析和测试数据计算出研制器件的实际电流响应率,再将实际电流响应率与理论分析的电流响应率相比,同时消除芯片表面Si O2钝化层光学透过率的影响,计算出器件对红外波段2~6μm辐射响应的量子效率最高可达35%,达到了国外同类型器件响应的量子效率指标。本文的研究为评价In As/Ga SbⅡ类超晶格红外探测器的光电转换性能提供了一种有效的方法。

1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响

研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15/cm2 时 ,器件的室温电阻和响应率明显下降 .

小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真

小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一,但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型,采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真了3种器件结构的光电流响应和串音。结果表明,台面结器件和平面结器件可以通过减小器件厚度和增加结深的方法来增加光电流响应和减少串音;外延结构器件可以通过增加吸收层厚度和选择合适的掺杂浓度来改善光电流响应和串音。综合考虑工艺难度影响,对小像元InSb红外焦平面阵列器件,建议采用深离子注入的平面结结构和采用分子束外延制备的厚度和掺杂浓度可控的外延结构。