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电流型大面积PIN探测器
被引量:
16
1
作者
欧阳晓平
李真富
+7 位作者
张国光
霍裕昆
张前美
张显鹏
宋献才
贾焕义
雷建华
孙远程
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期1502-1505,共4页
研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测...
研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测器相比 ,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式 ,但也可用于计数模式 ,而目前的商用产品仅适用于计数测量 .
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关键词
电流型大面积pin探测器
半导体
探测器
辐射
探测器
粒子研究
原文传递
提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究
被引量:
1
2
作者
胡孟春
叶文英
+3 位作者
唐章奎
宋献才
唐正元
李忠宝
《国外电子测量技术》
2005年第1期2-4,共3页
研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列...
研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。
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关键词
pin
电流
型
阵列
探测器
灵敏度
体积
方法研究
光电
探测器
辐射测量
有效解
国产
下载PDF
职称材料
离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
3
作者
谢凡
杜树成
韩德俊
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期761-766,共6页
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,...
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .
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关键词
X射线
探测器
pin
管结构
暗
电流
密度
N
型
保护区
离子注入
表面漏电
单晶硅材料
下载PDF
职称材料
用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器
被引量:
8
4
作者
欧阳晓平
李真富
+1 位作者
霍裕昆
宋献才
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1353-1357,共5页
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n...
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.
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关键词
大面积
电流
型
半导体
探测器
强度测量
原文传递
新型可用于FOCS光检测的放大器的分析与设计
被引量:
1
5
作者
苏立国
付松年
+2 位作者
朱燕杰
陈勇
董小鹏
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2001年第6期28-30,32,共4页
文中介绍了一种新型应用于FOCS(光纤电流传感器 )的PIN光检测放大器的设计 ,并提出了一种新型的双T型选频网络电路 ,对放大器各级的设计原理也进行了详细的理论分析。理论与实践都证明这种新型光检测放大器信噪比较高 ,能对微弱的PIN光...
文中介绍了一种新型应用于FOCS(光纤电流传感器 )的PIN光检测放大器的设计 ,并提出了一种新型的双T型选频网络电路 ,对放大器各级的设计原理也进行了详细的理论分析。理论与实践都证明这种新型光检测放大器信噪比较高 ,能对微弱的PIN光信号进行有效地检测和放大。
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关键词
光纤
电流
传感器
pin
探测器
双T
型
选频网络
放大器
下载PDF
职称材料
题名
电流型大面积PIN探测器
被引量:
16
1
作者
欧阳晓平
李真富
张国光
霍裕昆
张前美
张显鹏
宋献才
贾焕义
雷建华
孙远程
机构
复旦大学现代物理研究所
西北核技术研究所
中国工程物理研究院电子学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期1502-1505,共4页
文摘
研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测器相比 ,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式 ,但也可用于计数模式 ,而目前的商用产品仅适用于计数测量 .
关键词
电流型大面积pin探测器
半导体
探测器
辐射
探测器
粒子研究
Keywords
semiconductor detector, large area, current mode
分类号
O572.21 [理学—粒子物理与原子核物理]
原文传递
题名
提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究
被引量:
1
2
作者
胡孟春
叶文英
唐章奎
宋献才
唐正元
李忠宝
机构
中物院核物理与化学研究所
中物院电子工程研究所
出处
《国外电子测量技术》
2005年第1期2-4,共3页
文摘
研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。
关键词
pin
电流
型
阵列
探测器
灵敏度
体积
方法研究
光电
探测器
辐射测量
有效解
国产
Keywords
pin
detectors, sensitivity, array detector, photoelectricity detectors, radiation measurement.
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
3
作者
谢凡
杜树成
韩德俊
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期761-766,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 0 6 )
文摘
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .
关键词
X射线
探测器
pin
管结构
暗
电流
密度
N
型
保护区
离子注入
表面漏电
单晶硅材料
Keywords
X-ray detector
pin
structure
dark current
N protection region
分类号
O434.12 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器
被引量:
8
4
作者
欧阳晓平
李真富
霍裕昆
宋献才
机构
清华大学工程物理系
西北核技术研究所
复旦大学现代物理研究所
中国工程物理研究院电子学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1353-1357,共5页
文摘
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.
关键词
大面积
电流
型
半导体
探测器
强度测量
Keywords
large area
pin
detector, current mode, semiconductor detector
分类号
O572.212 [理学—粒子物理与原子核物理]
原文传递
题名
新型可用于FOCS光检测的放大器的分析与设计
被引量:
1
5
作者
苏立国
付松年
朱燕杰
陈勇
董小鹏
机构
厦门大学电子工程系
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2001年第6期28-30,32,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目编号 (697770 1 2 )
文摘
文中介绍了一种新型应用于FOCS(光纤电流传感器 )的PIN光检测放大器的设计 ,并提出了一种新型的双T型选频网络电路 ,对放大器各级的设计原理也进行了详细的理论分析。理论与实践都证明这种新型光检测放大器信噪比较高 ,能对微弱的PIN光信号进行有效地检测和放大。
关键词
光纤
电流
传感器
pin
探测器
双T
型
选频网络
放大器
Keywords
Fiber-optic Current Sensor,
pin
Photo-detector,Dual T-type Frequency Selecting Network
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
TP212.14 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电流型大面积PIN探测器
欧阳晓平
李真富
张国光
霍裕昆
张前美
张显鹏
宋献才
贾焕义
雷建华
孙远程
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
16
原文传递
2
提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究
胡孟春
叶文英
唐章奎
宋献才
唐正元
李忠宝
《国外电子测量技术》
2005
1
下载PDF
职称材料
3
离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
谢凡
杜树成
韩德俊
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
4
用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器
欧阳晓平
李真富
霍裕昆
宋献才
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
8
原文传递
5
新型可用于FOCS光检测的放大器的分析与设计
苏立国
付松年
朱燕杰
陈勇
董小鹏
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
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