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5~22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器 被引量:5
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作者 彭龙新 李建平 +1 位作者 李拂晓 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期175-178,共4页
使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分... 使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 宽带 平坦高增益 低噪声 反馈放大器 电流增益效率 微波单片集成电路
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