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5~22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器
被引量:
5
1
作者
彭龙新
李建平
+1 位作者
李拂晓
杨乃彬
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期175-178,共4页
使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分...
使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。
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关键词
宽带
平坦高
增益
低噪声
反馈放大器
电流增益效率
微波单片集成电路
下载PDF
职称材料
题名
5~22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器
被引量:
5
1
作者
彭龙新
李建平
李拂晓
杨乃彬
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期175-178,共4页
文摘
使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。
关键词
宽带
平坦高
增益
低噪声
反馈放大器
电流增益效率
微波单片集成电路
Keywords
broadband
flat-high-gain
low noise
feedback amplifier
current to gain efficiency
MMIC
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
5~22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器
彭龙新
李建平
李拂晓
杨乃彬
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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