一种电流型硅集成温度传感器

设计制造并测试了一种单片集成电路温度传感器,其工作温度范围为-55℃～150℃这种三端集成电路与一个外电阻一起,构成一个不受温度影响的可校准电流源,在最佳工作条件下,1μA/K的量程内可达到的绝对精度为±0.5℃。

采用集成温度传感器的数字温度计设计

针对水银温度计测量精度低、易损坏,以及工业测温系统中常出现电压信号损失、噪声干扰和外围电路复杂等问题,利用电流输出型集成温度传感器AD590和集成芯片GC7140C设计了一种数字显示温度计,避免了电压信号损失,其外围电路简单,测量范围宽,分辨率可达0.1℃。

集成温度传感器在多路循环测温中的应用

分析了集成温度传感器AD590的电路特点和电气特性,对AD590在多路循环测温中的应用进行了研究.

精密集成温度传感器的应用技术

集成温度传感器是采用硅半导体集成工艺而制成的,亦称硅传感器或单片集成传感器。集成温度传感器具有测温误差小、价格低、响应速度快、传输距离远等优点,适合远距离测温、控温,因此在现代信息技术领域得到了广泛应用。本文以AD592为例,介绍集成温度传感器在精密测温、远距离测温、利用矩阵电路实现多点测温时的应用技术。

AD590集成电路温度传感器特性测量与应用

本文介绍新型集成温度传感器的特性及应用。

LM135系列精密集成温度传感器的原理与应用

简要分析了LM135系列精密集成温度传感器的特性及工作原理,重点研究了LM135在测量温度、热电偶冷端温度补偿及镍镉电池快速充电器中的具体应用,并给出了相应的电路设计方案。上述电路可用于数字仪表和特种电源等领域。

CMOS数字集成温度传感器的开发

为了准确监测65 nm工艺的高速CPU芯片的工作温度,以保证CPU工作时风扇的运转以及过热报警,本文介绍了0.6μm的CMOS工艺设计实现的一种集成I2C总线通讯的具有远程测温功能的智能温度传感芯片.详细介绍了串联晶体管结构和Δ-ΣA/D转换技术、非重叠的控制时钟和CMOS开关的消除电荷注入误差的设计,使温度精度达到0.2℃;输出数字信号与I2C总线通讯的接口设计简化了后续信号处理和接口电路设计.测试结果表明,检测的温度范围从-15℃到95℃,本地温度误差在1℃以内,远程温度误差在0.75℃以内.

集成电子温度传感器

长期以来学生在做课程设计和毕业设计时,对温度传感器的选用及电路设计颇感困难。现介绍两种集成电子温度传感器,以助学生顺利完成设计。 一。

隔离式电流传感器GHS系列

LEM推出的GHS系列小型化集成电路型电流传感器，实现交流和直流电流的隔离淐，频率高达100kHz.

多参量微纳集成传感器

为了满足采煤机械工作状态在线监测在线分析系统对微纳传感系统小型化和集成化的要求,设计了一种将压阻式振动传感器与铂电阻温度传感器集成的多参量微纳集成传感器。振动传感器由一个惯性质量块、八个梁和边框组成,惯性质量块通过八个梁悬挂在边框上。为了减小集成传感器的面积,铂电阻温度传感器的形状为"蛇"形。对所设计的多参量微纳传感器进行了流片加工和性能测试,铂电阻温度传感器的灵敏度为1.04 mV/℃,量程为-20~80℃,振动传感器的灵敏度为49.89 mV/g,灵敏度幅值线性度为-0.33%,量程为50g。实验结果表明,研制的多参量微纳集成传感器满足对振动和温度信号测量的需求。

基于UC3842集成控制器的电流模式开关电源设计

介绍了电流模式开关电源的结构和优点,给出了电流型PWM集成控制器UC3842的功能和特点,基于UC3842设计制作出了一款单端反激式的开关电源,分析了该电源的工作原理,包括主电路、控制电路、反馈电路等。实验结果表明,所制作的电源具有稳压性能优良、纹波小、电压调整率和负载调整率小等优点。

谐振式集成光学陀螺中电流调谐致强度噪声研究

采用半导体激光器(LD)是谐振式集成光学陀螺(RIOG)小型化发展的重要趋势,但是LD的电流调谐特性会引入强度噪声.理论分析了电流调谐致强度噪声对开环RIOG性能的影响,得到频率锁定位置与LD输出光强之间为线性关系.随后,提出了基于频率锁定位置的强度噪声抑制方案,通过频率锁定位置实时监测LD输出光强的变化,根据监测值得到补偿系数,并补偿陀螺输出.建立了抑制电流调谐致强度噪声的理论模型,并进行了实验验证,RIOG的零偏稳定性由0.768(°)/s提高到0.103(°)/s.

High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析

阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)厚度,可以改善图像传感器高温性能,同时可以改变传感器的QE特性。

安森美大电流集成开关稳压器提高嵌入式系统的功率密度

近日，安森美半导体推出两款新的开关电源稳压器——NCP3101和NCP3102，简化高密度应用中的嵌入式设计。这些器件提供了新的集成度，使客户能够以嵌入式设计替代直流一直流（DC—DC）模块，在降低系统成本的同时，提升了功率密度。

应用于四相电压调整模块的阵列式集成磁件

为了提高电压调整模块(VRM)的输出动态响应速度并降低其稳态电流纹波,利用多副磁心组合的方法,提出了一种应用于四相VRM的阵列式集成磁件。在不考虑漏磁通影响的情况下,分析了阵列式集成磁件参数对VRM性能的影响,建立了阵列式集成磁件的等效电路模型,并对磁件的平面化结构进行了电磁场有限元分析;在考虑漏磁通影响的情况下,对等效电路进行了修正;在稳态等效电感和动态等效电感相同的条件下,对阵列式集成磁件和分立磁件的等效电路进行了比较,并进行了电路仿真、实验。仿真结果验证了理论分析的正确性,实验结果表明使用阵列式集成磁件的四相VRM动态效果较好。

基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析

为了实现变压器式可控电抗器(CRT)"高阻抗、弱耦合"的设计目的,基于磁集成技术,提出了阵列式磁集成CRT结构。通过分析此结构各绕组磁通关系以及建立其等效电路,推导出各绕组的短路阻抗与短路电流的计算式,并进行绕组短路阻抗与短路电流的举例计算。磁通分析与举例计算结果表明,所提出的阵列式磁集成CRT结构将控制绕组与限流电感集成在一起,将各控制绕组的短路电流维持在了额定值,在满足CRT"高阻抗"设计要求的同时减少了分立磁件数目;此外,随着后续控制绕组的投入,已经投入运行的控制绕组电流保持不变,即达到了各控制绕组间完全解耦的目的,满足CRT"弱耦合"的设计要求。

软开关PWM组合式三电平变换器的磁集成策略

软开关脉宽调制(pulse width modulation,PWM)组合式三电平变换器含有两个变压器,且两个变压器的总伏安定额大于相同输出功率下传统三电平变换器单个变压器的伏安定额。为进一步减小该变换器的体积,提出适用于该变换器的磁集成策略,将两个分立的变压器集成在一个磁芯上。通过合理的设计,不仅可以减小磁芯的体积和重量,而且可以降低磁芯损耗,提高变换器的效率。推导该变换器的多种磁集成方案,选择出合适的磁集成策略,并多角度分析采用磁集成策略后对变换器性能的改善,最后通过一台54V/20A的原理样机进行实验验证。

新型磁集成组合式CUK变换器

提出了一种磁集成组合式CUK变换器。该组合变换器由2个基本CUK变换器组合而成,同时将变换器中3个电感进行磁集成。通过对组合变换器进行模态及工作性能分析,组合变换器的电压增益是基本CUK变换器的2倍,电感磁集成后电感电流纹波显著降低。分析给出了减小电流纹波磁集成电感耦合度设计准则。仿真和实验验证了理论分析的正确性。磁集成组合式CUK变换器可以应用于光伏、燃料电池等发电系统。

分相耦合平面阵列式集成电感四相VRM研究

为了提高VRM的输出动态响应和降低稳态纹波,利用多副磁芯组合,提出了一种应用于四相VRM的分相耦合阵列式集成电感。在不考虑漏磁通影响的情况下,分析了分相耦合阵列式集成电感参数对VRM性能的影响,建立了磁件的等效电路。给出了分相耦合阵列式集成电感的平面化结构,对其进行了电磁场有限元分析。对分相耦合阵列式集成电感与分立电感进行了电路仿真分析比较。仿真结果验证了理论分析的正确性;实验结果表明使用相耦合阵列式集成电感的四相VRM动态效果较好。