电流截止负反馈无刷直流电动机可逆调速系统

提出了一种无刷直流电动机(BLDCM)速度负反馈和电流截止负反馈控制相结合的控制方法。介绍了工作原理,给出了PWM电流截止负反馈控制可逆调速系统应用实例电路和试验结果。分析表明:该方法实现电机的最大功率限幅控制,使开关器件电流上限实现极限利用,大大提高了调速系统功率电路的可靠性。

电动舵机双极性控制电流截止负反馈技术

针对电动舵机系统响应速度快、过渡过程中电流冲击大、控制器体积有限的特点,设计了一种基于采样电阻的,用于双极性控制的电流检测电路,给出了采样电阻的选择算法及使用范围。根据直流电动机的双极性控制特点,设计了微控制器的电流采样及软件电流截止负反馈算法。实验表明,该方法能够有效抑制电动舵机过渡过程中的电流冲击,节省硬件电路体积。

电流截止负反馈自动调速控制电路设计

在电压负反馈和电流正反调速控制系统中增设了自动限制电枢电流的电路,并能实现在正常运行时限制电枢电流电路与负反馈调速控制系统自动分离,当电流增大到一定程度时又能自动投入.既克服了由于电流负反馈使系统的静特性变软的不足,又能满足一般调速系统的要求.

基于带电流截止负反馈的单闭环直流调速控制系统的计算与仿真

本文根据现有电机参数设计了带电流截止负反馈的单闭环控制的直流调速系统,并对其进行了仿真实验。

基于电流截止负反馈的单闭环直流调速控制系统仿真

针对反馈控制系统中的启动和堵转等问题,本文基于常用电动机的参数,设计了带电流截止负反馈的单闭环直流调速控制系统,并对系统利用Matlab进行了仿真实验。

电流截止负反馈在V-M系统中的应用

阐述了电流截止负反馈的原理和作用，介绍了电流截止负反馈在V－M系统中的具体应用。

电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT

本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。

高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。

电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT

研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。

带电流负反馈的混合式步进电机控制系统研究

介绍了一种应用于混合式步进电机的控制系统,该系统以二相混合式步进电动机的静态和动态运行特性为出发点,主要由控制电路、逻辑合成电路、PWM波调制电路、功率驱动电路、过流保护电路和电流负反馈电路六部分组成。本系统以单片机AT89C51为控制核心,实现正/反转运行、过流保护和电流负反馈功能。针对步进电机随着频率升高带载能力下降的特点,系统通过采用过流保护和电流截止负反馈等措施后,使系统的带载能力有所提高。

等离子体电流保护在EAST控制系统中的应用

EAST(Experimental Advanced of conducting Tokamak)是我国自主研发的世界上第一个全超导托卡马克装置系统。全超导托克马克系统有独特的运行特性和更高的运行风险,需要更加严密而有效的安全监测和保护系统。本文介绍的等离子体电流保护系统具有等离子体电流的检测功能,若等离子体出现异常状况,如破裂,引起等离子体电流截止,系统会使极向场电源系统和微波加热系统以快速方式退出,而不是出于继续工作状态,从而及时地保护EAST的极向场电源系统、磁体以及EAST装置。系统已在2009年4月的EAST实验中成功投入使用。

电力系统采用短路电流组合限制技术的探讨

通过介绍常用的断路器保护方案,分析其不足之处,推荐一种短路电流组合限制技术,阐述其基本原理、应用原则及技术性能,并简要分析其技术优势,探讨该保护方案在电力系统应用的可行性及经济性。

大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)

在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。

直流电动舵机伺服作动系统研制

介绍了一种采用PWM调制芯片、放大器、比较器、分立元件及硬件逻辑门芯片组成的直流电动舵机伺服作动器,并给出了系统控制策略、传递函数和硬件实现电路。伺服系统采用位置-速度-电流三环串级控制方案,控制电路简单、可靠。实验证明,该作动器结构紧凑、性能较高,且运行稳定,达到直流电动舵机的高频响要求。

基于专用及可编程集成芯片的无刷直流电机控制器设计

提出了由专用集成芯片和可编程集成芯片及外围电路构成的一种体积小、结构紧凑、调试方便的无刷直流电机控制器的实现方法。分析了各部分的电路结构及特点,讨论了PWM脉宽调制信号生成、逻辑信号综合、驱动控制及电流截止负反馈的具体应用,在此基础上给出了实验数据及结果分析。

电动摩托车用无刷直流电动机控制器设计

介绍了一种以开关电源、PWM调制芯片、硬件逻辑门电路等组成的无刷直流电动机控制器,用以控制大功率电动摩托车用电动机。系统采用过流、过压保护和电流截止负反馈等电路来提高运行可靠性。实验证明,该控制器结构紧凑、功能完善,且成本低廉、可靠性较高,实现了控制大功率无刷直流电动机的目的,达到电动摩托车连续调速的要求。

一种低成本高效率半桥式开关电源设计

针对中小功率无刷直流电机类负载,设计了一种低成本高效率的半桥式开关型电源。给出了高频变压器和以SG3525为核心的控制电路详细设计,利用电流截止负反馈技术对传统的过流保护进行了优化设计。研制了一台220VAC市电输入、+48 V直流输出的180 W电源样机,给出了相关实验波形和效率曲线。经测试,电源带载状况良好,保护可靠,在额定负载下其效率可达85%。

单闭环直流调速系统研究

针对单闭环调速系统的组成和基本性质 ,研究了这种调速系统存在的问题及解决办法。通过实验提出了一种有效的单闭环调速系统

直流电动机闭环调速系统的限流措施

在直流电动机闭环调速系统中,当直流电机突加电压或出现堵转时,电机的电枢电流很大,有时达到电机额定电流的20倍,对电机十分不利.利用普通的熔断器或过流继电器都不能解决问题,电流截止负反馈是解决这一问题的有效方法.