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新型砷化镓Z元件
被引量:
2
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作者
郑一阳
《电子产品世界》
1999年第9期49-50,共2页
本文报导了砷化镓材料制作的Z元件,观察到S型负阻及相应的振荡波形,重点解决了S型负阻产生的原因及振荡机理,理论分析与实验相符。
关键词
Z效应元件
砷化镓
S型负阻
电流振荡波形
下载PDF
职称材料
题名
新型砷化镓Z元件
被引量:
2
1
作者
郑一阳
机构
中科院半导体所
出处
《电子产品世界》
1999年第9期49-50,共2页
文摘
本文报导了砷化镓材料制作的Z元件,观察到S型负阻及相应的振荡波形,重点解决了S型负阻产生的原因及振荡机理,理论分析与实验相符。
关键词
Z效应元件
砷化镓
S型负阻
电流振荡波形
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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新型砷化镓Z元件
郑一阳
《电子产品世界》
1999
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