一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计

提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18!m模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃～125℃的范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,电路的读取时间是33ns。

一种高可靠电流灵敏放大器设计

提出了一种带反馈放大器的电流灵敏放大器 ,将用于放大的 NMOS管同时作为位线多路选择器( MU X) ,与一般的电流灵敏放大器相比 ,延迟时间更短 ,而且更适于低电源电压工作。同时分析了阈值电压失配对电流灵敏放大器的影响 ,结果表明 ,失配不仅可能增大灵敏放大器时延 ,甚至造成误放大 ;带反馈放大器的电流灵敏放大器能够有效地抑制阈值失配的影响 ,其性能和可靠性良好。

一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计

快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。

一种用于次临界反应堆中子特性研究的电流灵敏前置放大器的研制

介绍针对用于次临界反应堆中子特性测量的小尺寸(如φ6mm×10mm)3He中子探测器设计的一种基于AD8004芯片的电流灵敏前置放大器的研制,该前放可由长达10m的同轴屏蔽电缆与探头连接,并且能够适应于高计数率情况下中子通量密度的测量,文中给出了具体电路原理图、性能指标参数以及对电路调试的有关问题的讨论。

一种用于放大快速小信号的电流灵敏型前置放大器/甄别器的研制

介绍了一种用于放大甄别辐射探测中的一些快速小信号的电流灵敏型前置放大器的研制。该前放可以实现对幅度几十μA,脉宽10-40ns的电流信号的放大和前沿甄别。文中给出了该前放的具体电路原理图和主要性能参数的测试方法及结果。

高速低功耗电流型灵敏放大器的设计

提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管,有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响,从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时,通过对时序控制电路的优化,有效降低了放大器的功耗。采用SMIC 0.13μm数字工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在室温,1.2 V工作电压下,灵敏放大器的放大延迟仅为0.344 ns,功耗为102μW。相比文献中提出的电流型灵敏放大器,速度分别提高了9.47%和31.2%,功耗则降低了64.8%与63%。

一种用于脉冲中子源测量系统的电流灵敏前置放大器的研制

简要介绍了一种与3He中子探测器相匹配用于脉冲中子源测量系统的电流灵敏前置放大器。该放大器能够适用于高计数率情况下中子通量密度的测量,具有输出信号上升时间快、噪声低、体积小、稳定性好和功耗低等特点。

BGO闪烁体电流前置放大器设计

设计了一款BGO探测器电流型前置放大器.其选用互阻型低噪声运算放大器,具有高增益,高输入阻抗、低噪声、宽频带的特性,采用该电流前置放大器对BGO探测器进行了能量响应测试以及能谱分辨率测试,通过对比不加该电流前置放大器的测试结果,得到如下结果:电流型前置放大器输出信号上升时间约为208 ns,脉宽约为1.6μs;对^(137)Cs(@0.662 MeV)源测量的信噪比由5.8∶1提高到7.3∶1,能量分辨率由13.378%提高到12.368%;对于^(60)Co(@1.17 MeV,@1.33 MeV)的峰半高宽为266道和234道.

一种低功耗的高性能四路组相联CMOS高速缓冲存储器(英文)

采用 0 .1 8μm/ 1 .8V1 P6 M数字 CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能 32位 RISC微处理器的 6 4 kb四路组相联片上高速缓冲存储器 (cache) .当采用串行访问方式时 ,该四路组相联 cache的功耗比采用传统并行访问方式在 cache命中时降低 2 6 % ,在 cache失效时降低 35 % .该 cache的设计中还采用了高速电路模块如高速电流灵敏放大器和分裂式动态 tag比较器等来提高电路工作速度 .电路仿真结果显示 cache命中时从时钟输入到数据输出的延时为 2 .

一种500MHz 32×32bit高速五端口CMOS寄存器堆

采用 0 .35 μm CMOS工艺 ,实现了一个 5 0 0 MHz、32× 32 bit的高速五端口寄存器堆 .它可以同时进行二个写操作和三个读操作 ,并且在同一时钟周期完成先写后读 .在电流工作方式下 ,通过设计优化的存储单元、新型高速电流灵敏放大器以及一种灵敏放大器控制信号产生电路 ,提高了寄存器堆的读取速度 .另外还采用了 TSPC(truesingle- phase clock) - D触发器等高速技术来进一步加快读取速度 ,电路仿真结果表明该寄存器堆的读取时间为1.85 ns.