新型有源矩阵有机发光显示电流编程像素电路

提出了一种新型有源矩阵有机发光显示用电流编程型像素驱动电路。该像素电路由3个开关薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管、一个存储电容和两条控制线构成。仿真结果表明,该4T1C像素电路可以补偿薄膜晶体管阈值电压的非均匀性以及有机发光二极管阈值电压的漂移,发光电流的平均非均匀性为4.63%。值得指出的是,同传统的电流编程型像素电路相比,本像素电路存储电容的接法可有效提高电路响应速度。此外,还分析了寄生电容对像素电路工作的影响。

可编程微电流放大电路的设计

介绍了一种动态变化范围较大的可编程微电流放大电路,通过AT89C5 1单片机控制可编程放大器,输出符合A/ D转换器输入范围的电压,同时介绍了微电流放大电路的设计要点和可编程增益放大器L H0 0

一种应用于LDO的可编程电流限电路设计

提出了一种应用于线性稳压器(LDO)的可编程电流限电路,可实现调整管电流的精准采样。根据输入—输出压差和负载电流的不同工作情况,通过调节片外的限流电阻来改变电流限值的大小。基于TSMC 0.25μm BCD工艺进行设计,采用H-spice进行仿真验证。仿真结果表明,LDO在2 V～5.5 V的输入电压、1.2 V～5 V的输出电压范围内,实现了最大3 A带载能力的输出,该可编程电流限电路可将电流限值在0.2 A～4.5 A内编程。

旋转坐标系分次控制可编程谐波电流源的设计

可编程谐波电流源作为电能质量治理装置的检验平台,其应用越来越广泛。这里在分析比较静止坐标系与旋转坐标系下电流跟踪两种电流控制方法的基础上,设计了基于旋转坐标系的电流分次控制的可编程谐波电流源,该方法能大大提高电流的输出精度。介绍了旋转坐标系分次控制可编程谐波电流源的控制原理,设计了以TMS320F2812型DSP和Cyclone II EP2C20型FPGA为核心的硬件平台,并在该平台上进行软件设计和实验,结果表明采用旋转坐标系分次控制可编程谐波电流源能达到非常高的输出电流精度,为设计高精度的可编程谐波电流源提供了依据。

一种用于垂熔机的可编程电流控制器

介绍了垂熔机控制系统的工作原理及结构特点。阐述了可编程控制器各部分的作用。该控制器造价低廉、稳定性高 。

利用DAC芯片和运算放大器构建可编程电流源

设计了一种高精度、可编程电流源。本文阐述了利用DAC芯片、运算放大器、晶体管和匹配电阻构建可编程电流源。论述了电流源的原理,并通过理论分析、软件模拟仿真及实际硬件电路应用都证明方案是合理可行的。

ARM平台下便携式数控高精度mA电流源设计

针对实际检测技术中对高精度恒流电流源的需求，设计基于ARM平台的便携式数控高精度mA恒流源，该设计由STM32微控制器连接控制可编程电流源AD5420芯片，获得高精度0—24mA电流输出。实际的工程项目结果表明，所设计的便携式恒流源，操作简便，最大误差不超过输出量程范围的0．5％，具有较高的精度。

应用于低压锁相环的高性能可编程电荷泵

提出了一种应用于低压锁相环的输出电流可编程电荷泵.该电荷泵由两个子电荷泵电路组成.每个子电荷泵都采用了反馈控制和复制偏置技术来保证输出的充/放电电流有接近理想的匹配性.利用电流求和结构,两子电荷泵在宽输出电压范围内输出电流的变化被相互补偿,从而得到相对恒定的总电流.该电荷泵可以编程输出从50μA到1.55mA变化的电流,并以50μA为最小步进.在0.1V到1.05V的宽输出电压范围内,基于0.13μm CMOS工艺的后仿真结果显示输出电流的失配率和变化率被分别限制在0.15%和5%以内.精确的匹配特性极大地减小了锁相环的静态相位误差和参考杂散,同时恒定的输出电流有利于稳定锁相环的动态特性,所以该电荷泵能满足低压宽带锁相环的应用要求.

MTM非晶硅反熔丝导通电阻

分析了现场可编程门阵列(FPGA)和可编程存储器(PROM)中广泛使用的MTM(metal-to-metal)反熔丝结构,测量了决定FPGA和PROM传输延迟的反熔丝编程后导通电阻,给出了编程电流对导通电阻的决定规律.结合MTM非晶硅反熔丝的特征电压模型,确定了TiN/α-Si/TiN结构反熔丝的特征电压值.对大量样品的实际测量结果,并且对实验数据进行拟合,实验结果表明,实验特征电压值接近模型理论值,可通过控制编程电流对编程后电阻的进行调控.

A New AC Driving Method for a Current-Programmed AM-OLED Pixel Circuit

A new,improved pixel-driving circuit is presented based on a current-programmed pixel circuit in order to achieve an AC-driving mode. This driving method realizes an AC-driving mode,removes the threshold voltage variation of the driving TFT due to the process variation or long-term operation,which can bring about brightness non-uniformity, and eliminates high peak pulse currents at the beginning and end of recovery time. Simulation is done with AIM-SPICE,and simulation results demonstrate that the OLED is in the reverse-biased state during recovery time.

多功能LED光柱显示驱动器──LM3914

ＬＥＤ光柱电子显示是集指针式显示和数字式显示优点于一身的近年兴起的显示技术。本文介绍了美国生产的专门用于驱动ＬＥＤ光柱显示的集成电路ＬＭ３９１４的功能、内部功能、具体用法、应用实例和注意事项。

基于LED激发光源的叶绿素荧光参数监测的植物生理分析

试验设计了一套叶绿素荧光在线检测系统,通过MINI-PAM荧光仪可以实时检测到植物叶绿素的荧光参数,并采用LED光源模拟不同的光照条件,测量了植物在不同条件下的荧光参数以及快速光响应曲线。检测系统通过232串口通信协议同上位机通信,利用Win Control软件实现数据的采集与保存。结果表明,适宜的光照可以大大促进植物PSⅡ的最大量子产量,从而提高农作物的产量,受环境胁迫的植物的光合作用受到明显的抑制。

脉冲激光电源中电流可编程的实现

本文介绍了一种用于脉冲激光电源的新型电流可编程控制操作系统。该系统采用上下位机的方式实现电流波形的输入、显示、存储及D/A输出。就系统的实现给出了硬件框图、软件流程图以及部分源程序。

应用于AMOLED源极驱动的具有DAC功能的输出缓冲器设计

针对AMOLED驱动芯片小面积、高精度、低功耗的需求,设计了一种具有DAC功能的高性能输出缓冲器。该缓冲器采用轨对轨的输入级和Class AB输出级以适应大的输入输出电压范围,采用Cascode Miller补偿以减小补偿电容大小,其尾电流源可编程以实现4 bit DAC功能插值,节约了整体功耗和芯片面积。在UMC80 nm CMOS工艺下,仿真结果表明,在0.2~6.3 V的输入电压范围内,缓冲器直流增益大于70 dB,相位裕度大于60°,静态电流最小可至0.5μA,建立时间低至1.49μs;典型中压3.3 V的情况下,直流增益可达129 dB,相位裕度为75°,增益带宽为9.4 MHz,静态电流为1.3μA;对60 mV输入电压进行4 bit插值后,输出误差小于0.255 mV。设计的缓冲器精度高、建立时间快且功耗低,输出缓冲器实现了第二级DAC的作用,满足了AMOLED源极驱动的应用需求。

BDS导航接收机中宽调谐LC压控振荡器设计

针对北斗三号全球卫星导航系统(BDS-3)导航接收机中压控振荡器不能同时兼顾宽调谐范围与低相位噪声等问题,采用台积电(TSMC)0.18μm射频(RF)互补金属-氧化物-半导体(CMOS)工艺设计了一款宽调谐低相噪的电感电容压控振荡器,并能够接收BDS-3中B1、B3两种频段信号。设计采用了一种压控可变电容阵列与开关电容阵列组合的结构,达到宽调谐范围与低相噪等特点,同时设计了一种可编程尾电流源阵列,通过数字控制信号使振荡器的输出摆幅更稳定。仿真结果表明:当电源电压为1.8 V时,振荡频率低频范围为2.178~2.697 GHz,高频范围为2.85~3.3 GHz;中心频率在2.5 GHz和3.1 GHz、频偏为1 MHz时的最低相位噪声分别为-121.9 dBc/Hz及-119.5 dBc/Hz;调谐增益的变化率分别为48.93%与78.08%;功耗为3.6~3.8 mW。

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5μA时饱和电压只有1.5～2.5V。