(Ga,Mn)As中电流诱导自旋极化的磁光Kerr测量

在GaAs吸收带边附近,利用磁光Kerr效应测量了(Ga,Mn)As和p-GaAs样品的电流诱导Kerr旋转谱和反射谱,两者都呈现出Lorentz曲线形状.电流诱导Kerr旋转角和反射率随着电流的增大而增大,Kerr角与电流的大小成正比关系,反射率与电流的平方成正比关系.(Ga,Mn)As的Kerr旋转角比p-GaAs的大了一个数量级,这说明Mn原子的掺杂使得电流诱导的自旋极化增强.另外,还测量了温度和入射光偏振方向对电流诱导Kerr旋转谱和反射谱的影响.发现随着温度的升高,Kerr谱和反射谱均向长波方向移动,这与GaAs带边随温度的变化是一致的.

自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展

文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验,介绍在自旋-轨道耦合的体系中,如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流,又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化.实验结果表明,自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段,而且还给我们提供了用非磁性材料且无外加磁场条件下作为自旋源的新途径.