一种差分输入HgCdTe红外探测器专用电流读出电路的研制

利用差分输入的折叠共源共栅结构实现了一种在77 K工作的高性能低噪声HgCdTe红外探测器专用的电流读出电路。文中分析了它的噪声特性,并提出了减少噪声的措施。此电路用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成。经过测试,这种电流读出电路在低温77 K下能正常工作,反馈电阻大小为41 MΩ,等效输入噪声电流仅0.03 pA/Hz1/2,连接HgCdTe红外探测器后能正常工作。

采用电流镜积分读出电路的X射线图像传感器

研制采用电流镜积分高性能读出电路的 X 射线图像传感器(CMI-X-IS),传感器像元由采用CMOS 工艺的光电二极管实现,利用电流镜将产生的光电流变成镜像并放大到积分电容中,经相关双采样电路抑制噪声后,由 CMOS 移位寄存器和多路开关电路输出视频信号。对 CMI-X-IS 要求的时序关系进行了分析。设计了 CMI-X-IS 的应用电路,并将其应用于一个实验系统中,得到了不同密度、不同尺寸材料的视频信号波形和清晰的目标物 X 射线图像。实验表明,CMI-X-IS具有较小的非均匀性(NU≤3.532%)、较低的暗噪声(Vn≤0.45mV)、较大的单位面积响应度(Ro=57.87×105V/Lx.S.cm2)、较高的输出电压(可达 5V)和较宽的动态范围(Dr ≥77dB),可以应用到 X 射线实时成像检测领域。

基于电流镜积分读出电路的X射线CMOS图像传感器研究

基于电流镜积分读出电路的X射线CMOS图像传感器 (CMI X IS)的原理 ,并对电流镜积分读出电路进行了计算机模拟。对CMI X IS的性能参数进行了测试 ,并对光电转换特性曲线进行了分析。设计了CMI X IS的应用电路 ,得到了不同密度、不同尺寸材料的视频信号波形。测试结果和实验表明 ,CMI X IS具有较低的暗噪声、较大的响应度、较高的输出电压和较宽的动态范围 ,可以应用于X射线实时成像检测领域。

一种高性能X射线CMOS图像传感器的研究

研制了一种采用电流镜积分读出电路和相关双采样电路的X射线CMOS图像传感器(NEW-X-IS),传感器像元由采用CMOS工艺的光电二极管实现,光电二极管产生的光电流通过电流镜放大后在像元外的电容上积分,经相关双采样电路抑制噪声后,由CMOS移位寄存器和多路开关电路输出视频信号。对采用2μm CMOS工艺研制的64位实验线阵进行参数测试,结果表明NEW-X-IS具有较小的非均匀性、较低的暗噪声、较大的单位面积响应度、较高的输出电压和较宽的动态范围。将其应用于一个实验系统中,得到了不同密度、不同尺寸材料的视频信号波形。