InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性

设计了含有InAs自组装量子点 (SAQDs)的新型金属 半导体 金属隧穿结构 ,研究了其直流输运特性 ,观察到了电流迟滞回路现象 .这种回路现象是由于紧邻金属肖特基接触的量子点充电和放电引起的 ,也可以说是由外加电压控制的量子点的单电子过程引起的 .分析了量子点总体的充放电特性 ,量子点中电子在高电场下隧穿出量子点的概率变化决定了量子点的放电过程 ,而充电过程是由流过量子点层的二极管正向电流决定 .理论拟合结果显示充电过程主要由于量子点基态能级俘获电子照成的 ,激发态对量子点充放电过程只有微弱影响 .

高压LED阵列电学特性的优化方法的研究

高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。