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基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
被引量:
3
1
作者
杨晗
侯晨琛
+2 位作者
钟泽
谢家志
廖书丹
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期1-4,共4页
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过...
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。
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关键词
65
nm
CMOS工艺
亚阈区
电流镜技术
2阶温度补偿
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职称材料
题名
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
被引量:
3
1
作者
杨晗
侯晨琛
钟泽
谢家志
廖书丹
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期1-4,共4页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
文摘
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。
关键词
65
nm
CMOS工艺
亚阈区
电流镜技术
2阶温度补偿
Keywords
65 nm CMOS process
subthreshold region
current mirror technology
second-order temperature compensation
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
杨晗
侯晨琛
钟泽
谢家志
廖书丹
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
3
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