蒸发强制循环泵电流高原因及对策

通过对FIX-450型强制循环泵操作环境及结构参数分析,找出电流高原因,采取改进措施,使用效果好。

600 MW机组空预器电流高的原因分析和处理

分析某电厂600 MW机组容克式三分仓空预器电流异常升高的原因,指出是空预器漏风控制系统中扇形板的接触装置问题导致了扇形板与转子摩擦使空预器电流异常升高。为了避免此类事件的再次发生,制定了相关的处理措施,保证了设备的安全性。

一种大电流高精度电流源设计

针对传统电流源精度较低和难以扩展的问题,提出了一种大电流高精度电流源设计方法。在对设计方案进行分析的基础上,采用大电流运算放大器和高性能控制器进行设计;针对精度和实时性要求,采用模糊PI控制方法;针对大电流输出问题,采用多器件并联方法,并解决环流问题;同时设置了多重软件保护。实验结果表明:该方案的电流源不但达到了技术要求,能够稳定可靠工作,并且易于扩展。

一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

设计一种增强型的共源共栅电流镜。通过放大器的负反馈,这里设计的电流镜在不增大基本电流镜输入阻抗的基础上,具有比传统电流镜更高的输出阻抗和更高的电流匹配精度,同时该电流镜也有高于传统共源共栅电流镜的输出电压摆幅。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压,输入电流为10 mA时,该电流镜的输出阻抗达到200 MΩ以上,输出电压摆幅为0.2~5 V,电流匹配精度误差小于0.016%,电流一致性误差小于0.5%。

基于卡尔曼滤波融合的电机电流高精度检测与处理

根据同步采样下跟踪系统电机电流波动规律,推导出基波电流可以等效为载波中点和起点处电流采样值,并分析了同步采样与非同步采样下电流谐波,得出同步采样可以有效减小载波二倍频率谐波及高次谐波。针对跟踪系统在高仰角跟踪时,电机电流大变化剧烈,电流检测精度下降的情况,将不同量程不同精度的电流传感器应用于电机电流检测中,使用集中式卡尔曼(Kalman)滤波融合技术融合多传感器电流数据,在传感器量程内实时地获得了较高的电流检测精度,避免了传统滤波算法带来的电流滤波延时。

Vishay推出新款车用IHTH高电流高温电感器

Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,推出两个新款采用0750和1125外形尺寸的IHTH高电流高温通孔电感器——IHTH-0750IZ-5A和IHTH-1125KZ-5A。这两款电感器专门针对汽车应用并已通过AEC-Q200认证,其工作温度达＋155℃,额定电流为125 A,容值范围为0.47μH～100μH。

环形高电流高温电感器

TJ3-HT为一款新型环形高电流、高温电感器，此电感器的最高额定工作温度为＋200℃，采用环形设计以减少EMI，可用来优化开关式电源、EMI／RFI滤波器、汽车的输出端扼流圈以及深井钻探产品。

高电流密度PEM水电解OER催化材料研究现状与分析

因强酸性、高过电位以及强氧化环境等问题,商业化质子交换膜(PEM)水电解析氧(OER)阳极需采用高载量的贵金属材料,且目前尚无替代的非贵金属催化剂,导致成本居高不下。以高电流密度(HCD)提升功率密度是PEM水电解未来发展趋势,但随着电流密度升高,水电解反应过电位也近似线性增长,需要催化材料更高的电导率和更快的物质运输,以降低电流和电解效率的损失。因此,开发高性能OER催化剂对推动PEM水电解制氢产业的发展意义重大。介绍了PEM水电解与可再生能源的契合性,从OER四电子反应机理出发,揭示OER催化剂研究意义;结合已有的研究报道,从形貌尺寸、表面结构、传电能力、电化学反应微环境等四方面,分析了高电流密度下OER催化材料的研究现状及其提高PEM水电解传输效率的原因;对高电流密度PEM水电解OER催化材料未来的发展趋势提出建议并进行了展望。

1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件

基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。

高电流密度银电解新型药剂的应用及工艺优化研究

针对高电流密度银电解精炼工艺中容易出现的酸度高、电解液寿命短、银粉晶型不合理(海绵体)、附属设备氧化腐蚀快、高温烧槽等问题,开发出了一种新型银电解药剂A与硝酸混合使用。通过生产实践,结果表明:在新型电解药剂A添加量在100 g/批时,银锭主品位达到99.997%。

高电流密度下高砷阳极铜的生产实践

简要介绍了高电流密度下高砷阳极铜的生产实践,通过调整净液工艺参数、采用气液强化硫化设施处理脱铜终液等方式加大脱砷能力,保证电解液中ρ(As)维持在11~13 g/L,继而保障铜电解生产的稳定。实践表明,与之前电解厂的脱砷能力对比,现有新技术极大地提高了脱砷能力,减少了金属的损失。

高电流密度下阴极铜精细化生产实践

以某铜业公司电解厂高电流密度下阴极铜精细化生产实践为例,分别从电解液和阳极板成分、阳极板外观、添加剂用量、电解液杂质元素净化等方面进行分析总结。由该厂3年生产实践可知,在持续高电流密度(320~355 A/cm^(2))生产条件下,通过精细化管控,生产各项经济指标达到较优值,电流效率在98.55%左右,阴极铜优质品率≥97%,合格率>99%,综合成本以及加工成本在逐年下降;在混合处理外购杂铜阳极板情况下,其阴极铜产量在2024年更是突破420 000 t。由此可见,根据实际生产情况,通过快速精准调整电解生产过程,可实现高电流密度下阴极铜的稳定生产。

高电流密度电积技术在铜冶炼厂的现场应用

在275A/m^2高电流密度下电积铜,电积系统运行稳定,产出的铜产品外观形貌与质量都达到指标要求;溶液中铁离子质量浓度为6g/L时,电积槽电流效率为88%。高电流密度电积技术对湿法炼铜厂扩大产能提供了行之有效的技术保证。

高电流密度银电解新工艺的研究与应用

在现有银电解工艺的基础上,借鉴贵溪冶炼厂高电流密度铜电解生产经验,通过试验研究,确定了高电流密度(700A/m2)电解条件下电解液最佳组分、净化工艺、循环控制模式、搅拌方式等关键技术,自行设计出适合高电流密度生产的银电解槽,开发出具有自主知识产权的高电流密度银电解新工艺,电流密度由原来的350A/m2提高至700A/m2。

高电流密度实心电子束均匀磁场聚焦电子枪的设计

针对W波段小型化扩展互作用器件对电子枪及其对电子束的需求,设计了采用均匀磁场聚焦的高电流密度实心电子束电子枪。首先考虑现阶段阴极发射能力和扩展互作用器件对电子束的需求下完成了静电电子枪的设计;在此基础上,将电子枪分为静电聚焦区、过渡区和均匀磁场区三个部分,通过理论计算得出了理想的均匀聚焦磁场分布。在此基础上建立了高电流密度实心电子束均匀磁场聚焦电子枪的三维粒子仿真模型,工作电压为17 kV,阴极发射电流为19.3 A/cm2的条件下得到了压缩比为33,束电流为668 mA,平均束半径为0.182 mm,平均束电流密度为642.4 A/cm2的高电流密度实心电子束。仿真结果表明,该电子束在半径为0.25 mm的电子通道内的流通率达到了100%,理论计算和三维粒子仿真的结果符合得很好。

一种新型高输出阻抗,高电流匹配精度电流镜的设计

电流镜是模拟电路设计的基础单元之一，在高性能模拟电路设计中，电流镜的电流匹配精度和输出阻抗是决定电路性能的最重要的参数之一．设计一种新型高输出阻抗、高电流匹配精度电流镜，采用了一种新颖的五级负反馈增益方法来增加电流镜的输出阻抗，同时还通过改进DMCM电路结构提高了电流镜的电流匹配精度，使得设计的电流镜在任何Iin下都保证有较高的电流匹配精度，而且这种新型电流镜也有近似于传统两级共源共栅电流镜的摆幅．采用TSMC 0．18μm，1．8／3．3CMOS标准工艺，在3．3V电源下，输出阻抗能达到18GΩ以上，并且电流匹配精度接近于0．01％，输出电压摆幅为1．28～3．3v。

绝缘监测用高精度微电流传感器研究

一种用于绝缘在线监测的穿心式高精度微电流传感器。通过电子电路对激磁电流的跟踪和自动补偿,使传感器近似工作在“零磁通”状态。对传感器的性能测试表明,补偿收到了良好效果,角差稳定在±1.5分以内,比差小于千分之一。

添加剂对高电流密度下通孔电镀铜的影响

通过测量25°C的计时电位曲线研究了聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、二甲基甲酰胺基丙烷磺酸钠(TPS)、N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)和醇硫基丙烷磺酸钠(HP)这6种常用添加剂对高电流密度(3.0 A/dm2)下通孔电镀铜的影响。基础镀液为70 g/L硫酸+200 g/L五水合硫酸铜+60 mg/L氯离子,抑制剂为200 mg/L聚乙二醇(PEG-10000),整平剂为1 mg/L健那绿(JGB)。结果表明,镀液中单独加入抑制剂时镀液的分散能力没有提高,而MPS的去极化能力过强,能抵消抑制剂和整平剂的作用。采用100 mg/L PEG-10000+1 mg/L TPS+1 mg/L JGB作为添加剂时,镀液的分散能力为82%,所得通孔镀铜层热应力情况较好。

高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。

一种用于大电流LED驱动的高侧电流检测电路

针对LED驱动中宽输入电压范围和高精度检测的要求,提出了一种高侧电流检测电路.采用互补金属氧化物半导体（CMOS）器件作为放大器,通过检测串联在电路中的采样电阻两端电压差的大小,用滞回控制方法控制电流回路的通断,能精确控制0.5~5 A的输出电流,在5~40 V电压下达到了3%的检测精度.该电路结构简单,通过0.6μm5~40VCMOS-双重扩散金属氧化物半导体（CDMOS）工艺流片验证,芯片测试结果表明电路工作良好,能满足要求.