双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响

通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。

电化学放电线切割电压-电流特性研究

设计并搭建了基于水平走丝方式的电化学放电线切割加工装置,可用于非导电硬脆材料的微细线切割加工,研究了加工过程中的电压电流特性。当电压超过临界值后,电极丝表面会形成不稳定的气层并产生放电现象;随着电压升高,放电状态由火花放电向电弧放电过渡。对石英玻璃的加工实验结果显示,通过增加电压并使放电电压维持在火花区内,能在保证表面质量较好的同时提高加工效率,在电弧区加工可得到更高的材料去除率,但工件表面质量会下降。

测量LED/LD功率-电压-电流特性的装置

为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,从而说明本测量电路设计的可行性 .

a-Si:H TFT电流-电压特性研究

本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。

单色光电流-电压特性测试在碲化镉太阳电池研究中应用

针对不同结构的碲化镉(CdTe)太阳电池,测试其单色光特性,并计算出不同波长下的收集效率。结果表明,高质量的高阻层能提高太阳电池短波区的收集效率,对提高长波段的收集效率有一定作用;背接触层能够明显在电池背部形成欧姆接触;适当的硫化镉(CdS)层的厚度能够改善窗口层的界面,提升电池的器件性能。通过该测试方法可以获得器件结构与器件性能之间关系,从而为进一步优化电池结构和制备工艺、提高太阳电池转换效率提供依据。

双注入结型场效应管的电流-电压特性

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。

一维结构二氧化锡的电压-电流特性研究

采用易挥发的金属氯化物,通过化学气相沉积法(CVD)在FTO导电玻璃上直接生长一维结构二氧化锡纳米锥阵列,研究一维纳米结构二氧化锡的电压-电流(I-V)特性,探讨结构与性能的本质联系,为高性能的二氧化锡纳米材料太阳能电池的研制提供理论和技术上的支持。

pH敏感有机电化学晶体管I-V特性及其电压依赖性

pH敏感的有机电化学晶体管有望广泛用于可穿戴电子设备进行生理指标原位监测.然而,pH敏感的有机电化学晶体管电流-电压(I-V)特性关系尚不明确,这严重制约其设计、优化与应用等方面的发展.本文联合电化学平衡方程与栅极/电解液、半导体沟道/电解液界面微分电容串联物理模型构建了pH敏感的有机电化学晶体管I-V特性方程.进一步,以聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐为半导体层材料,以pH敏感聚合物(聚3,4-乙烯二氧噻吩/溴百里酚蓝)修饰晶体管栅极,构建pH敏感的有机电化学晶体管.测试晶体管输出、转移及pH响应特征,验证I-V特性方程的有效性.实验结果表明,该有机电化学晶体管的pH检测灵敏度为0.22 mA·pH·unit^(–1),并且晶体管pH响应具有栅极电压依赖特性.引入栅极电压多项式进一步修正晶体管I-V特性方程.理论模型对转移曲线实验结果的拟合优度达到0.998.峰值跨导对应栅极电压位置、pH灵敏度响应栅极电压的实验及理论预测结果比较亦可表明修正理论模型的有效性.研究结果可为基于pH敏感有机电化学晶体管的柔性生物传感器设计与制造提供理论支撑.

光伏太阳能电池的电流-电压特性曲线研究

基于光伏太阳能电池(PSC)的测试数据,采用指数函数拟合法和多项式拟合法对PSC的电流-电压(I-V)特性曲线进行了最小二乘法拟合,通过分析拟合误差研究了不同方法对I-V曲线拟合效果的影响。结果表明:多项式拟合法的平均误差和最大误差都远远小于指数函数拟合法,具有比较满意的拟合精度。

电化学放电加工电压-电流特性的研究

电化学放电加工机理主要是火花放电的热蚀与高温下化学腐蚀的共同作用。加工过程中状态信息的及时获取对电化学放电加工的精确控制具有重要意义。通过对电化学放电加工过程中电压-电流特性的研究,用实验结果分析了电压-电流与工具电极反应面积之间的关系,得出与工具电极反应面积匹配的最佳电压,为电流信号成为电化学放电加工监视信号提供了理论基础。

变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

零偏压电阻 面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0 是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流 电压(I V)测试,得到了组分x在 0.5与 0.6之间的器件R0A和J0 随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致.

多孔硅的形成与电流电压特性研究

本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。

4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算

基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS.mm-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用.

MOSFET静电场传感器电场-电流特性的研究

MOSFET静电场传感器是一种固态传感器,没有任何机械移动部件。文中研究了MOSFET静电场传感器的电流-电压特性和电流-电场特性。在给定的电场下,电流-电压特性曲线分为了两部分:非饱和区和饱和区。当MOS-FET静电场传感器工作在非饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDsat与测量电场成正比。但MOSFET静电场传感器工作在饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDSat与测量电场成非线性关系。但是,当测量电场比较小时,漏-源电流的变化量ΔIDS与测量电场成正比。

AuCl_3/HgI_2与Au/HgI_2接触的I-V特性表征

利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.0291.分析认为溅射Au工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.AuCl3电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性.

InSb单元及线列器件I-V特性失效分析

InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常测试中出现的I-V失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电。

BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础.

深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响

为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。

双面太阳电池电流-电压特性校准方法研究

双面太阳电池的电流-电压特性是反应电池电性能的重要参量。本文通过对其参数进行分析,提出相应的校准方法,并进行试验验证。结果表明:该方法能更全面、更准确对性能进行评估,为促进该电池的发展及其校准方法的统一提供了参考。

以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。