测量LED/LD功率-电压-电流特性的装置

为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,从而说明本测量电路设计的可行性 .

深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响

为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。

四阳极装置的辉光放电特性

在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。

LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究

选用8-羟基喹啉铝(Alq3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3∶TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较。结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的。由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的载流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因。

p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响

对OLED器件施加扫描电压时,器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同,器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq3/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试,并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在,以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象,获得了比较满意的结果,为器件性能的进一步优化找到了方向。

一种新型有机稀土配合物的合成及发光特性的研究

合成了具有双配体TTA和5NO_2Phen的稀土有机配合物Eu(TTA)_35NO_2Phen,通过元素分析、差热-热重、红外光谱和吸收光谱研究了配合物的组分、结构。元素分析的实验结果与理论计算的结果相吻合。从紫外可见吸收光谱中可以看出,稀土有机配合物的两个吸收峰分别位于340 nm和270 nm,这两个吸收峰分别与配体TTA和5NO_2Phen的吸收峰相关。在350 nm的光激发下,得到了三价铕离子的特征发射峰:583,593和612 nm,它们分别对应着铕离子5D_0→7F_0,5D_0→7F_1,5D_0→7F_2的跃迁发射,这说明有机配体可以将吸收的能量传递给三价铕离子使其发光,配体对稀土铕离子的发光有协同增强的作用。以Eu(TTA)_35NO_2Phen作为发光层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK:Eu(TTA)_35NO_2Phen/BCP/Alq_3/Al的电致发光器件,在18 V驱动电压下器件发出了色坐标为(x=0.51,y=0.31)的红色电致发光。

OLED器件的IVL测试实验设计

文中介绍了一种微机控制下的电流-电压-亮度(IVL)测试系统的设计,该系统主要用于测试有机发光二极管(OLED)器件的电流-电压-亮度等光电参数,具有测试速度快和易于操作等特点;系统的研制成功可对OLED显示器件物理机制的研究提供测试手段。

CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究

本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。

电极界面修饰对PLEDs器件性能的影响

为了研究阴阳极界面修饰对聚合物电致发光器件(PLEDs)性能的影响,文中以ITO/MEH-PPV/Al为原型器件,研究了氧化石墨烯(GO)或者氟化铯(CsF)阴极界面修饰,GO或者PEDOT∶PSS阳极界面修饰对器件性能改善的影响。结果显示:CsF在修饰阴极界面时起到了主导性作用,使得PLEDs的发光亮度显著提高,而GO在修饰阴极界面时却没有这样的效果;但实验发现,GO有望成为新一代的阳极界面修饰材料,替代PEDOT∶PSS修饰ITO阳极。

图示仪在LED失效分析中的应用

本文基于图示仪的检测原理,说明了其测量LED参数的方法,提出了在LED失效分析中图示仪几个特殊的应用和操作方法。