Ga－Al－As－Si系统中Si的两性掺杂行为的研究

对Ｓｉ在电液相外延Ｇａ－Ａｌ－Ａｓ－Ｓｉ系统中的两性掺杂行为进行了研究。提出了一种恒温生长Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ：Ｓｉｐ－ｎ结的新方法，对这种ｐ－ｎ结的成因作了定性的解释，并对这种ｐ－ｎ结的电特性加以观察。