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压电陶瓷板中非电渗透型反平面裂纹的电弹性场 被引量:4
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作者 李显方 范天佑 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2002年第2期179-187,共9页
对受 4种机电载荷的内含裂纹的压电陶瓷板的电弹性行为进行了分析· 利用积分变换方法将非电渗透型反平面裂纹问题化为对偶积分方程组 ,求解这些方程组可以获得裂纹线上电弹性场的明显解析表达式 ,及裂尖处一些量的强度因子和机械... 对受 4种机电载荷的内含裂纹的压电陶瓷板的电弹性行为进行了分析· 利用积分变换方法将非电渗透型反平面裂纹问题化为对偶积分方程组 ,求解这些方程组可以获得裂纹线上电弹性场的明显解析表达式 ,及裂尖处一些量的强度因子和机械应变能释放率· 当板的厚度趋近于无穷大时 。 展开更多
关键词 陶瓷板 弹性场 反平面问题 电渗透型裂纹
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功能梯度压电板条中的电渗透型运动裂纹 被引量:1
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作者 胡克强 仲政 李国强 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1631-1636,共6页
基于三维弹性理论和压电理论 ,研究了功能梯度压电板条中的电渗透型运动裂纹问题 .利用Fourier积分变换方法 ,将混合边值问题化为对偶积分方程 ,并进一步归结为易于数值求解的第二类Fredholm积分方程 .通过渐近分析 ,获得裂纹尖端应力... 基于三维弹性理论和压电理论 ,研究了功能梯度压电板条中的电渗透型运动裂纹问题 .利用Fourier积分变换方法 ,将混合边值问题化为对偶积分方程 ,并进一步归结为易于数值求解的第二类Fredholm积分方程 .通过渐近分析 ,获得裂纹尖端应力、应变、电位移和电场的解析解 ,给出裂纹尖端场各个变量的角分布函数 ,并求得裂纹尖端场的强度因子 .结果表明 ,对于电渗透型裂纹 ,功能梯度压电板条中运动裂纹尖端附近的各个场变量都具有 - 1/ 2阶的奇异性 ,而且与固定于裂纹尖端的运动坐标有关 ;当裂纹运动速度增大时 ,裂纹扩展的方向会偏离裂纹面 . 展开更多
关键词 材料 功能梯度压板条 应力强度因子 电渗透型运动裂纹
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不同压电材料反平面应变状态的电渗透型界面裂纹 被引量:18
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作者 侯密山 梅甫良 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期216-220,共5页
将压电材料中的电渗透型裂纹处理成静电学的连接界面 ,按上、下两表面的切向电场强度连续和法向电位移连续建立裂纹处的电学边界条件 ,精确分析了不同压电材料反平面应变状态的共线界面裂纹问题 ,给出了单个界面裂纹和双界面裂纹的复型... 将压电材料中的电渗透型裂纹处理成静电学的连接界面 ,按上、下两表面的切向电场强度连续和法向电位移连续建立裂纹处的电学边界条件 ,精确分析了不同压电材料反平面应变状态的共线界面裂纹问题 ,给出了单个界面裂纹和双界面裂纹的复型封闭解 .结果表明 :在裂尖处应力、应变、电场强度和电位移均有(1/2 )阶的奇异性 ,裂纹扩展能量释放率仅与应力、应变强度因子有关 . 展开更多
关键词 材料 界面裂纹 电渗透型 反平面应变
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A Novel Dense Mixed-Conducting Membrane for Oxygen Permeation 被引量:1
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作者 徐南平 李世光 +1 位作者 金万勤 时钧 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第3期218-223,共6页
Perovskite type SrCo0.4Fe0.6O3-δ(SCF) membrane and a novel perovskite-related ZrO2 doped SrCo0.4Fe0.6O3-δ(SCFZ) membrane were successfully prepared by isostatic pressing. The sintered membranes were characterized b... Perovskite type SrCo0.4Fe0.6O3-δ(SCF) membrane and a novel perovskite-related ZrO2 doped SrCo0.4Fe0.6O3-δ(SCFZ) membrane were successfully prepared by isostatic pressing. The sintered membranes were characterized by high-temperature X-ray diffraction (HTXRD) and energy dispersive spectroscopy (EDS). The oxygen permeabilities of membranes have been measured in the temperature range of 923 K to 1243 K. The oxygen permeation flux at 1123K and activation energy of SCFZ membrane with the thickness of 2mm are respectively 2.68×10^-7 mol·cm^-2·min^-1 and 97.76 kJ·mol^-1. The results of HTXRD in argon atmosphere and the oxygen permeation experiment indicate that the SCFZ membrane is stable at elevated temperature and low oxygen partial pressure. 展开更多
关键词 dense membrane perovskite-related oxygen permeation stability
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Quantum percolation tunneling current 1/f^γ noise model for high-κ gate stacks Bi-layer breakdown
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作者 LIU YuAn ZHANG YiQi LI Cong 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2014年第9期1637-1643,共7页
Based on the elastic trap-assisted tunneling mechanism in high-κgate stacks,a quantum percolation tunneling current 1/fγ noise model is proposed by incorporating quantum tunneling theory into the quantum percolation... Based on the elastic trap-assisted tunneling mechanism in high-κgate stacks,a quantum percolation tunneling current 1/fγ noise model is proposed by incorporating quantum tunneling theory into the quantum percolation model.We conclude that the noise amplitude of the PSD(Power Spectral Density)for three stages,namely the fresh device,one-layer BD(breakdown),and two-layer BD,increases from 10-22→10-14→10-8 A2/Hz.Meanwhile,the noise exponent γ for the three stages,has the 1/f2type(γ→2),1/fγ type(γ→1~2),and 1/f type(γ→1),respectively.The simulation results are in good agreement with the experimental results.This model reasonably interprets the correlation between the bi-layer breakdown and the tunneling 1/fγ noise amplitude dependence and 1/fγ noise exponent dependence.These results provide a theoretical basis for the high-κ gate stacks bi-layer breakdown noise characterization methods. 展开更多
关键词 1/f^γ noise quantum percolation tunneling MOSFETs high-κ gate stacks Bi-layer breakdown
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