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抑制CMOS输出端口反向漏电设计
1
作者
叶宗祥
史良俊
《电子与封装》
2022年第10期36-41,共6页
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构,当电源端接地或者悬空,CMOS输出端口接高电平时,通过优化控制逻辑,由输出端口为电路提供电源电压,从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25μm 5 V工艺实现电路版图并流片,典型漏电...
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构,当电源端接地或者悬空,CMOS输出端口接高电平时,通过优化控制逻辑,由输出端口为电路提供电源电压,从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25μm 5 V工艺实现电路版图并流片,典型漏电为0.01μA。
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关键词
反向漏
电
抑制
CMOS输出端口
电源不上电
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职称材料
题名
抑制CMOS输出端口反向漏电设计
1
作者
叶宗祥
史良俊
机构
中国电子科技集团公司第五十五研究所
无锡力芯微电子股份有限公司
出处
《电子与封装》
2022年第10期36-41,共6页
文摘
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构,当电源端接地或者悬空,CMOS输出端口接高电平时,通过优化控制逻辑,由输出端口为电路提供电源电压,从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25μm 5 V工艺实现电路版图并流片,典型漏电为0.01μA。
关键词
反向漏
电
抑制
CMOS输出端口
电源不上电
Keywords
reverse leakage suppression
CMOS output port
no power on
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
抑制CMOS输出端口反向漏电设计
叶宗祥
史良俊
《电子与封装》
2022
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